电弧离子镀工艺参数对NiCoCrAlYTa涂层沉积的影响

目的研究工艺参数中的气压、偏压、弧电流对该涂层沉积速率、组织结构、成分的影响。方法采用电弧离子镀技术,利用正交试验改变气压、偏压、弧电流三种工艺参数,在镍高温合金上制备NiCoCrAlYTa涂层,借助SEM分析涂层的截表面形貌,EDS检测涂层成分,金相显微镜检测涂层的孔隙率,3D轮廓仪测量涂层厚度。结果弧电流对沉积速率的影响最大,其次为偏压,最小的是气压;偏压对涂层孔隙率的影响最大,其次为气压,最小的是弧电流。随着偏压的增大,涂层由柱状结构转变成层状结构。随着电流增大,涂层表面大颗粒数量先增后减。涂层成分相对靶材成分都发生了离析,涂层中的Ni、Al含量较靶材的下降,Co、Cr含量较靶材的上升,并且随着偏压的增大,成分离析加剧;随着电流的增加,成分离析先加剧后减弱;气压对成分离析的影响不明显。结论低气压和高电流有利于提高涂层的致密性,并减弱涂层成分的离析,减少涂层中重要元素Al的流失。实验得出的最优工艺为气压0.5 Pa,电流110 A,偏压可根据性能检测进一步优化。     

M2和H13钢离子渗氮-电弧镀TiAlCrN膜复合技术

对M2和H13钢进行离子渗氮-多弧离子镀TiAlCrN膜复合表面改性,并采用电子探针、X射线衍射、扫描电镜、纳米压痕和微米划痕仪等手段分析了薄膜的成分、组织结构与力学性能.结果表明,不同衬底对膜的成分及微观结构影响不大.TiAlCrN/M2和TiAlCrN/H13复合膜的膜基结合力都比较高,而TiAlCrN/M2复合膜的综合力学性能优于TiAICrN/H13.     

弯曲磁过滤电流对TiN膜质量的影响

为研究弯曲磁过滤弧离子镀工艺的磁过滤电流变化对薄膜质量的影响,用弯曲磁过滤弧离子镀工艺在3.0～4.5A内变化磁过滤电流制备了TiN薄膜样品,用扫描电子显微镜观察了薄膜表面与截面形貌,用X射线衍射研究了薄膜的组织结构,从等离子体角度分析了磁过滤电流对薄膜表面质量、结晶质量等薄膜质量及生长速率的影响.结果表明,引入磁过滤后,因去除大颗粒的结果使薄膜表面均很光滑,且表面大颗粒的尺寸与磁过滤电流的大小关系不大.当磁过滤电流为4.0A时,TiN薄膜结晶良好、膜基结合紧密,生长速率达到最大的1.1μm/h,且具有很强的[200]择优取向.在4.0A磁过滤电流下制备的TiN薄膜所呈现的质量特性是由于此电流下等离子体密度与能量高、基体的位置又正好处于聚集的等离子体区域中心.     

混合磺化还原染料偏振薄膜的偏振性能研究

将磺化还原蓝RSN、磺化还原艳紫2R以及磺化还原猩红HRR以不同比例混合并配成0.5%的溶液,然后旋转蒸发得到浓度为20%的溶致液晶,使其在载玻片上涂布成膜,经过稳定化处理后该种混合磺化还原染料偏振薄膜的偏振性能在可见光全波段范围得到了较一致的偏振效率,可以实现薄膜在可见光全波段的偏振需要。     

低温反应溅射沉积α-(Al,Cr)_2O_3膜

使用AlCr合金靶材在高功率脉冲磁控溅射系统中低温反应溅射沉积氧化物薄膜,并与使用纯Al靶反应溅射的薄膜对比。用纳米压痕仪测量薄膜的力学性能,使用扫描电镜(SEM)、掠入射X射线衍射(GIXRD)和能谱仪(EDS)等手段研究了沉积薄膜的表面形貌、相结构和元素组成。结果表明,反应溅射Al时靶表面火花放电严重且工艺不稳定,因此所沉积的薄膜表面粗糙、疏松,硬度低;而反应共溅射AlCr能抑制靶表面火花放电,沉积薄膜平整、致密且硬度高;在540℃和10%氧分压条件下,可沉积出以α-(Al,Cr)_2O_3为主的刚玉型结构氧化物薄膜。     

化学共沉法制备的高饱和磁化强度Fe65Co35合金纳米颗粒

利用化学共沉淀法制备Fe65Co35合金纳米颗粒,研究了共沉淀和退火工艺对纳米颗粒结构和磁性能的影响.研究表明,共沉淀反应的油浴温度为100℃时,最有利于FeCo合金的生成.在此油浴温度下合成的产物经300℃退火获得的磁性颗粒尺寸均匀、细小且磁性能最佳.低于或高于此油浴温度对产物的形貌和性能均产生不利的影响.随退火温度...     

高能球磨制备Ni60-TiB2纳米金属基陶瓷结构喂料及其结构特性

以Ni60和TiB2粉为原料,在氩气保护下采用高能球磨技术制备Ni60-TiB2纳米金属基陶瓷结构喂料,并研究了其结构特性。用XRD、SEM、EDS和激光粒度分布仪等对粉末进行表征和分析,结果表明:Ni60-TiB2粉体在室温条件下,经20h球磨后其晶粒尺寸和微观应变分别为38nm和0.237%,显微组织为纳米级硬质相TiB2均匀弥散分布于粘结相NiCr上,粉末近似球状,流动性良好,稍加过筛后可直接用于HVOF喷涂。     

(100)面金刚石的扩散形成

在纯氢气气氛中对用ＨＦＣＶＤ法制备的无晶面的微晶金刚石薄膜进行了扩散热处理，结果表明，微晶金刚石在扩散热处理过程中将选择性长大，形成（１００）面金刚石，对低压合成金刚石过程中形成（１００）面金刚石和扩散热处理中形成的（１００）面金刚石的机理作了讨论。     

CVD金刚石薄膜二次形核机制的研究

根据实验观察分析提出了金刚石二次形核机制 ,此机制认为二次形核很容易在( 10 0 )晶面上和晶界上形成。通过比较 ( 10 0 )面的二次形核和形成新生长台阶的系统自由能差 ,可知当气氛中的碳氢基团浓度较大时 ,粘附在基底的碳氢基团发生堆集 ,如果堆集碳氢基团高度尺寸较大时将形成二次晶核。也对晶界二次形核的系统自由能差进行了推导 ,结果表明晶界二次形核是自发的 ,将导致体系自由能的下降。     

甲烷浓度对CVD金刚石膜表面粗糙度的影响

研究了化学气相沉积金刚石膜时甲烷浓度与金刚石膜表面粗糙度的关系。结果表明，随甲烷浓度的增加金刚石膜表面粗糙度下降。表面粗糙度主要由金刚石膜的晶粒大小和二次形核决定，晶粒越细，表面粗糙度越低，在金刚石晶界二次形核及长大，也促使金刚石膜表面粗糙度降低。