HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究

研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。     

快速分组交换环网SFPring及其特性

本文介绍了一种新型同步时隙快速分组交换环网（ＳＦＰｒｉｎｇ）及其特性。此网通过对时隙环增加环路帧同步器的方法，使得环路的时隙一致，简化环路接口，虽使时隙环在低负荷下延时特性略有下降，但由于能采用分组目的站回收方案，可使其重负荷条件下效率提高一倍，因而其十分适于综合业务局域数字网。     

GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备

在草酸溶液中对GaN基板上超薄Al膜进行阳极氧化,结合扫描电镜对阳极氧化铝形貌进行表征,系统研究了超薄Al膜的腐蚀条件和氧化过程,以及Al膜的厚度,反应变化时间和实验难度系数之间的关系。多孔状阳极氧化铝的孔径、分布及有序度等对氧化电压、氧化时间、电解液温度和溶液浓度等参数较为敏感。通过深层次的机理分析,给出了相应的合理解释。在此基础上,优化了超薄阳极氧化铝的制备参数,提升了实验的稳定性及重复性,促进了阳极氧化铝在GaN材料和器件中的应用。     

大型机组启动备用变非全相保护配置方案探讨

大型机组启动备用变断路器发生非全相时,产生负序电流,依据产生负序电流的大小对接于其上的负载造成不同程度损伤、同时对系统产生影响,必须及时切除。分析了变压器非全相运行时的相序电流和相序电压与故障前负载电流的关系。启动备用变在轻载时,负序电流非常小,传统电流保护不易判断,提出了负序电流比例增量保护思路,设计出采用负序电流比例增量判据的非全相保护逻辑图。结合实例分析了现行启动备用变非全相保护存在的问题,给出详细配置方案以及在不同情况下的启失灵方案。     

发电厂自动化网络不间断电源改造及可靠性分析

指出了发电厂自动化网络不间断电源的重要性，阐述了原有电源系统存在的问题，并对两种方案进行比较，最后确定了改造方案，提高了自动化网络电源的可靠性。     

应用生物有机肥减少烤烟化肥用量试验研究

为探究烤烟生产上应用生物有机肥降低化肥用量的可行性及化肥减量的适宜比例,以大理当地烤烟生产所施用的化肥常规用量为对照,研究了用等重生物有机肥代替15%、30%、45%和60%的化肥用量对烤烟生长、经济性状、内在化学成分和感官评吸质量的影响。试验结果表明,应用生物有机肥降低化肥用量30%不仅不会阻碍烤烟生长,还能在一定程度上改善烤烟经济性状,使烟叶化学成分更加协调,从而使各部位烟叶的感官评吸质量整体得到改善。其他减肥比例则会对烤烟生产带来不同程度的不良影响。研究认为,在大理州烤烟生产上应用生物有机肥降低化肥用量是可行的,且化肥减施比例为30%时较为适宜。     

豫西典型烟田土壤颗粒组成的空间变异性分析

空间变异性研究有利于认识土壤养分的空间分布特征与生态过程的关系。本研究旨在系统量化研究区域土壤颗粒组成的空间变异性和相关性,以揭示土壤颗粒组成的空间分布特征。采用“网格法”取样(100 m×100 m),利用地统计学方法分析了平顶山典型烟区土壤颗粒组成的空间相关性。结果表明,黏粒和砂粒的最优半方差函数为球状模型,粉粒为指数模型;砂粒和黏粒具有较强的空间相关性和较好的结构性,粉粒具有中等空间相关性,结构性较差;三者的各向异性均较小,黏粒的趋势效应最强,空间变异性最大,砂粒趋势性弱,且空间变异性小,粉粒的趋势效应不明显。Kriging 插值显示,该区土壤砂粒含量以北部较高,西南部较低,粉粒和黏粒的分布与砂粒呈相反的趋势;该研究区壤土占绝大部分,粘壤土仅在西南角有小块分布。     

测定土的次固结系数及方法

简述了测定土的次固结系数的试验方法,并根据试验资料,对各类土的试验成果进行汇总、统计分析,总结了土的次固结系数与物性指标及其垂直压力之间的关系。     

小尺度下烟田土壤有效态微量元素空间分布格局研究

为探讨微肥的精准施用,采用地统计和GIS技术相结合的方法,研究了植烟土壤有效态微量元素(有效铁、锰、铜、锌)的空间变异规律。结果表明,土壤有效态微量元素变异幅度在22.0%～48.4%之间,表现出中等强度的空间变异性。4种微量元素的空间结构模型均符合球状模型,利用克里格法生成4种元素的空间分布图显示,研究区域有效铜和有效锰整体为中等偏高水平,有效铁和有效锌含量缺乏的区域分别占78%和43%。     

湿法化学腐蚀法估算GaN外延层中位错密度

研究了采用熔融NaOH对MOCVD生长的GaN外延层的湿法腐蚀结果,结合原子力显微镜表征其腐蚀坑形貌及腐蚀坑密度,得出了优化的腐蚀条件.通过与熔融KOH腐蚀结果对比分析发现,熔融NaOH腐蚀速率平缓,表面更平整,腐蚀坑更规则且密度更大.结合两种腐蚀结果,可以初步得出,熔融NaOH对GaN中刃型分量位错敏感,而熔融KOH对螺型分量位错更敏感,两种腐蚀剂相结合能够更完整地揭示GaN内部位错.