汞污染的“源”、“控”与“治”

在总结汞污染的来源与危害、环境载体(水、土壤、大气)及工业"三废"中汞污染物的监测与评估、污染治理技术研究与应用现状的基础上,分析目前我国汞污染的可控环节、控制手段及控制途径,并对适合我国国情的汞污染控制及治理技术的未来发展方向进行了讨论与展望。     

Er:LiGdF_4晶体生长及光谱性能

采用提拉法生长出掺铒氟化钆锂(Er3+:LiGdF4,Er:LGF)激光晶体。晶体生长工艺参数为:提拉速率为0.16mm/h,晶体转速为3r/min,冷却速率为10℃/h。X射线粉末衍射分析表明:晶体属于四方晶系,白钨矿结构,空间群为I41/a,计算的晶胞参数:a=0.5196nm,c=1.10286nm。晶体的吸收光谱和荧光光谱表明:晶体在659,980nm和1540nm附近的吸收峰较强,其中在1540nm处的吸收截面为1.09×10-20cm2。在激光二极管的532nm波长泵浦下,发射峰分别位于995nm和1530nm附近,其中1530nm处的半高宽为52nm。     

新时期高校辅导员工作研究

社会的进步和发展,大学生的思维方式和思想观念也发生了很大变化。这些新情况、新问题给高校辅导员工作提出了新课题、新挑战,有必要积极主动地研究新情况,系统的分析高校辅导员工作。从透析辅导员工作的本质出发,挖掘辅导员工作任务和内容,总结辅导员工作的原则,提炼出富有成效的辅导员工作方法。     

基于SCTE-HMS网管标准的有线电视网络管理系统

首先研讨了SCTE HMS网络管理标准,然后详细描述了有线电视网络管理系统的设计思路.     

用深反应离子刻蚀和介质填充技术制造具有高深宽比的超深电隔离槽

提出了一种利用深反应离子刻蚀(DRIE)和电介质填充方法来制造具有高深宽比的深电学隔离槽的新型技术.还详细讨论了DRIE刻蚀参数与深槽侧壁形状之间的关系,并作了理论上的阐述.采用经过参数优化的DRIE刻蚀深硅槽,并用反应离子刻蚀(RIE)对深槽开口形状进行修正,制造了具有理想侧壁形状的深槽,利于介质的完全填充,避免产生空洞.电隔离槽宽5μm,深92μm,侧壁上有0.5μm厚的氧化层作为电隔离材料.I-V测试结果表明该隔离结构具有很好的电绝缘特性:0～100V偏压范围内,电阻大于1011Ω,击穿电压大于100V.电隔离深槽被首次应用于体硅集成微机械陀螺仪上的微机械结构与电路之间的电气隔离与机械连接,该陀螺的性能得到了显著提高.     

发挥党员主体作用问题研究

党员是党的肌体的细胞和党的活动的主体,是党的工作的具体承担者和执行者,党员主体作用的发挥直接影响到党的事业的发展.在新形势下,党员在日常工作中的主体作用总体是好的,但也有相当一部分党员对自身主体意识缺乏足够的认识,不能突出体现党员的先进性,这就表明党员队伍中还存在着一定的问题.本文从挖掘党员主体地位的理论内涵出发,分析影响党员主体作用发挥的主要原因,提出解决存在问题的主要对策和措施.     

一类微分中值定理及其中间点的渐近性质

给出了一类微分中值定理，并得到了该定理中间点的渐近性质。     

保形C^1三次样条插值方法的改进

对文献「１」的保形Ｃ＾１三次样条插值的２种方法进行了改进，得到了２个新的简单的方法。     

2个新微分中值定理中间点的渐近性质

得取了２个新微分中值是中间点的渐近性质,主要结果为ｌｉｍｘ→ａ＋０ζ－ａ／ｘ－ａ＝１＋λ／３和ｌｉｍｘ→ａ＋０ζ－ａ／ｘ－ａ＝＾ｎ－２√２（１－λ＾ｎ－１）／（１－λ）ｎ（ｎ－１）。     

铜/多孔阳极氧化铝纳米有序阵列复合体系的光吸收特性

以多孔阳极氧化铝为模板,采用交流电化学沉积工艺制备了Cu/AAO纳米有序阵列复合结构,对其光学特性的研究结果表明,随Cu沉积量的增加,复合结构的吸收边相对于空模板发生了超过250nm的红移幅度,而Cu表面等离子共振吸收峰相对蓝移,理论分析了导致吸收边及吸收峰随Cu沉积量改变而发生频移的主要原因.