散射场数值模拟方法在地震采集方法设计中的应用

在地震勘探设计方面，通常采用的基于射线理论的正演模拟方法应用几何地震学原理，其缺陷是不能定量分析不同采集参数对高陡构造成像的影响。应用基于波动方程理论和散射场数值模拟方法能够定量分析道间距、覆盖次数、炮检距范围等因素对高陡构造成像的影响，为清晰成像高陡构造选择合理地震采集参数提供了更可靠的依据。文中通过实例分析，探讨了基于波动方程理论和散射场数值模拟方法在地震勘探采集方案设计中的应用，并展示了应用效果。     

应用API 581对输气站场进行定量风险评价

目前专门针对输气站场的风险评价方法还不多，现有的手段也只是根据国家法律法规得出定性的评价结果，然后按照评价结果对照得出整改方案。为此，对输气站场的定量风险评价工作提出了一套新方法，得到了定量的和更加客观的风险排序，为管道站场的完整性管理工作提供了有力的支持；并以陕京输气管道榆林压气站为例，应用美国石油学会标准API 581（基于风险检测的基本源文件）对站内设施进行了风险评价，计算了站内设备和管线的失效后果、失效概率，得到了定量风险值，进而分析了风险值产生差异的原因。最后，针对我国输气管道风险评估工作提出了看法和建议。     

结构形式对椭圆扁管管内传热与流阻性能影响

利用数值模拟方法结合场协同理论,对直椭圆扁管、单向螺旋椭圆扁管和变向螺旋椭圆扁管管内传热与流动情况进行了数值模拟计算和理论分析,比较研究了不同的Re、Pr下,3种椭圆扁管的管内传热与流阻特性。结果表明,单向螺旋椭圆扁管和变向螺旋椭圆扁管与直椭圆扁管相比有很好的强化传热性能,而变向螺旋椭圆扁管要比单向螺旋椭圆扁管的强化传热性能更好。在管内流体具有高Pr及低Re的条件下,2种螺旋椭圆扁管的强化传热效果显著,可作为很好的强化传热元件应用于工程实际中。     

多跨连续平拉索索道人行桥的设计与施工

平拉索索道人行桥是桥面板直接铺设在高强钢丝制成的较平坦的拉索上,利用悬索结构来跨越江河沟壑的一种供行人通行的悬索桥,多跨连续平索索道桥是在一跨平拉索桥的基础上,为减小跨中垂度和拉索应力在桥跨中间加设多个柔性支墩,形成连续多跨结构,因而大大增加跨越能力。     

动感像素全息母版图案的设计制作研究

本文介绍了一种新颖的数码像素全息高速拍摄装置来实现全息母版的制作。提出和介绍了运用Photoshop软件一些特殊的图像处理功能设计制作动感像素全息图的方法,并结合多种防伪技术,使产生的图案具有不可仿制的图形畸变特点,并列举了设计实例。     

彩色AC-PDP运动图像仿真系统的开发

开发了彩色AC-PDP运动图像仿真系统,通过利用本系统的运动图像仿真功能可以对现有的各种显示技术、与子场有关的各种因素进行仿真及比较,为人们开发提高彩色AC-PDP图像显示质量的新型技术及子场提供了理论上的依据;通过利用本系统的Gamma特性研究功能可以对彩色AC-PDP中视频信号的反Gamma特性进行研究,并对反Gamma相关编码进行子场逼近,为选择符合要求的子场编码提供了判据.     

SOI光电子集成

SOI（Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题，其工艺与CMOS工艺完全兼容，可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展，着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构，包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅（PAWG）、基于SOI的光探测器等，并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。     

双光栅外腔半导体激光器压窄技术的研究

介绍了利用双光栅外腔结构对650 nm半导体激光器输出激光进行选模、线宽压窄及波长调谐的研究.获得了最窄线宽＜0.01 nm的单纵模激光输出,实现了波长调谐范围约8.4 nm.     

利用静电学和测量数据对碳纳米管膜场致发射规律的定量分析

碳纳米管膜的场致发射电流密度仅由它表面的宏观电场决定，无论其表面形状是平的还是半球状的。对于理想的平行板电极系统，其表面电场强度均匀（UId），发射电流密度、总电流与发射面积成正比：对于半球一平面电极系统半球形的阴极存在一个宏观场增强因子ks，一个与两极距离和球半径之比（d/r）相关的函数，其表面的平均场强为ks U/d。对于d/r=0，ks=1，d≥r的情况，ks接近于常数。对于10〈d／r〈100的情况，存在一个经验的表达式：ks=1＋0．15d/s=0．005（d／r）^2。在引入ks后，不同作者给出的平面电极系统和半球一平面电极系统碳纳米管膜的场致发射电流I与宏观表面电场强度E的关系都可以近似用-经验公式描述：I=a（E-Eo）^b，a，b为常数。该经验公式可为稳定生产的CNT膜片应用产品设计提供方便。     

用AFM导电探针在n-Si(111)表面进行纳米加工的机理研究

本文介绍了在AFM针尖与氢钝化硅表面之间施加电场作用对硅表面进行修饰的纳米加工方法，重点讨论了加工机理。实验考虑了样品的表面状态，周围大气状况，所加电压的极性、大小和加压方式等影响纳米加工的因素。对机理的研究表明，针尖和样品之间发生的是场致电子发射而非热电子发射，电流热效应增强粒子的扩散能力，提高了电化学反应速度。最后给出了电场诱导阳极氧化扩散增强的加工机理。