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双光栅外腔半导体激光器压窄技术的研究
引用本文:董兆辉,王宏杰,隋金龄,田晓洁,吕福云.双光栅外腔半导体激光器压窄技术的研究[J].光电子技术与信息,2004,17(1):28-30.
作者姓名:董兆辉  王宏杰  隋金龄  田晓洁  吕福云
作者单位:南开大学物理科学学院,天津,300071
摘    要:介绍了利用双光栅外腔结构对650 nm半导体激光器输出激光进行选模、线宽压窄及波长调谐的研究.获得了最窄线宽<0.01 nm的单纵模激光输出,实现了波长调谐范围约8.4 nm.

关 键 词:半导体激光器  双光栅外腔  线宽压窄  波长调谐
文章编号:1006-1231(2004)01-0028-03
修稿时间:2003年7月31日

Narrowing Technology of the Semiconductor Laser with a Double-grating External Cavity
Abstract:
Keywords:
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