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稀土离子注入的硅材料MOS结构高效率电致发光器件 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了在稀土离子Re(Re=Er、Eu、Tb、Ce和Gd)注入的SiO2金属-氧化物-硅(MOS)结构高效率电致发光器件的研究进展情况。通过将不同的稀土离子注入到SiO2薄膜,相继获得了发射光谱峰值分别位于红外(1.54μm)、可见光(618 nm5、43 nm、440 nm)至紫外(316 nm)光谱范围的MOS结构电致发光器件,并系统研究了SiO2:Re薄膜中稀土离子的电致发光特性。在SiO2:Re有效发光层的厚度为50 nm,掺杂浓度为1-3%的条件下,稀土Er、Tb和Gd离子注入掺杂的硅材料MOS结构电致发光器件在红外、绿光和紫外的量子效率分别达到14%、16%和5%,接近了商品化III-V族半导体发光二极管的水平。 相似文献
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离子注入缺陷局域掺杂的高效率硅pn结发光二极管 总被引:1,自引:0,他引:1
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原子浓度接近2倍于退火温度下的固溶度时,室温下的电致发光效率达到最大值0.12%,比传统的硅pn结发光二极管增强了2-3个数量级。在低温电致发光光谱中,发现了两个来自局部掺杂缺陷的束缚激子发光峰。随着温度的升高,束缚激子的发光峰出现温度猝灭,束缚激子离化为自由电子和空穴,增加了硅带间自由激子复合的发光效率,从而使电致发光呈现随温度增加而增强的反常温度效应。 相似文献
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采用响应曲面法,以材料去除率RMRR和表面粗糙度Ra为评价指标,研究抛光过程中抛光盘转速、压力、时间等3种参数对RMRR和Ra的影响。根据抛光试验结果,建立材料去除率和表面粗糙度的回归模型,得出其响应曲面和等高线图,并进行详细分析。结果表明:回归模型较显著,证明了响应曲面法预测及优化304不锈钢化学机械抛光工艺参数的可行性及可靠性;据此得出Ra和RMRR优化后的最佳工艺参数;Ra和RMRR的试验值与预测值比较,相对误差在±10%以内,表明响应曲面得到的模型精度高,可用于化学机械抛光工艺参数优化与结果预测。 相似文献
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目的 建立竞争性酶联免疫方法检测饲料中玉米赤霉烯酮的分析方法。方法 样品经过60%的甲醇溶液提取, 提取液经过离心后, 取25 ?L提取液, 加入475 ?L稀释缓冲液混合后即为试样液, 取50 ?L试样液采用酶联免疫吸附方法进行检测。在450 nm波长处检测吸光度值。结果 本方法在3 h内完成了饲料中玉米赤霉烯酮含量的测定。在加标浓度为100、200和500 ?g/kg的加标水平下, 玉米赤霉烯酮酶在饲料中的加标回收率为99.5%~122.1%, 变异系数为1.4%~3.0%。结论 该方法快速、准确、灵敏, 适用于饲料中玉米赤霉烯酮的快速筛查检测。 相似文献
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本文针对某型号设备需要,设计了一种Ka频段高功率、超窄带滤波器,采用圆波导高次模结构,利用耦合矩阵系数法,结合三维电磁场仿真对滤波器进行了分析, 优化出结构尺寸,给出了该滤波器的仿真结果,并对该滤波器在常压和真空环境下所能承受的功率进行了近似分析,最终设计了一款相对带宽约0.1%的Ka频段高功率超窄带带通滤波器,经过调试、测试,整个通带插入损耗小于0.4dB,带内驻波小于1. 25:,带内平坦度小于0. 2dB,与仿真计算结果基本一致。 相似文献
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当前,最严格水资源管理制度已列入政府考核指标范畴,如何科学、客观地细化落实考核工作成为一项亟待推进的工作。节水型社会建设是最严格水资源管理制度的一项重要考核指标。以火力发电水平衡测试为例,探究进一步细化政府节水考核指标做法。火力发电为高耗水行业之一,为了加强该行业的节水管理,在水平衡测试、节水管理方面制订了相关的规章、规范和标准。在水平衡测试过程中不仅要遵循国家水平衡测试规范,同时也要遵循行业水平衡测试规范,在水平衡测试节水评价中才能够分析全面、具体,满足火力发电节水考核指标的要求。 相似文献