交流电机谐波电动势节距因数出现负值的分析和处理

针对运用现有交流电机谐波电动势节距因数公式计算电动势有效值出现负值问题,采用了电路时域分析、相量分析以及物理学中场强矢量分析相结合的方法,对整距和短距线圈谐波电动势的构成依次进行了研究,对短距线圈谐波电动势构成中的节距因数采用划分区间分段讨论的方法着重进行了探讨,提出了一个基于v次谐波节距半值γv/2(电角度形式)区间的分段函数新节距因数公式,并以通常的线圈节距值y1=5τ/6(槽数形式)选取1~19次奇次谐波分别对新旧公式进行了数据验证。研究结果表明,与现有公式当v=3,9,13,17,19时出现负值不同,新的公式在计算谐波电动势节距因数时全程未出现负值,说明克服了现有公式的缺陷,未来可替代现有公式使用。     

ZnS薄膜的水浴法制备及其光学性能

以酒石酸和柠檬酸钠为络合剂,采用水浴法(CBD)制备ZnS薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱仪(EDAX)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-vis)研究ZnS薄膜的结构、成分、形貌及光学性能.利用透射光谱计算了ZnS薄膜的光学禁带宽度.结果表明:ZnS薄膜呈立方相晶体结构,水浴沉积时间为3h的ZnS薄膜原子比Zn∶S为1∶0.85,薄膜表面均一致密,在可见光区有着好的透射性能,在300～800 nm的光谱范围内平均透射率达到80.8%,光学禁带宽度为3.78eV,适合作为太阳能电池过渡层.     

化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜研究进展

硫化锌薄膜是重要的半导体光电材料。分析了化学水浴沉积法制备硫化锌薄膜的原理与机制,重点阐述了制备过程的影响因素及工艺的优化。简要介绍了采用该工艺制备的硫化锌薄膜在Cu（In,Ga）Se2薄膜太阳电池方面的应用。最后指出硫化锌薄膜作为一种性能优良、制备成本低廉、对环境友好的功能薄膜材料具有良好的应用前景。     

硅烷偶联剂对硅烷改性聚醚密封胶的影响研究

本文以硅烷改性聚醚为基础聚合物,研究不同种类硅烷偶联剂对表干时间、24 h固化厚度、物理性能和粘结性能的影响,发现不同硅烷偶联剂对性能影响很明显,氨基硅烷偶联剂可以加快硅烷改性聚醚胶的反应速率,KH550和Z-6020搭配使用时硅烷改性聚醚胶性能达到最优。     

CIS(CIGS)薄膜材料的研究进展

以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最具潜力的第三代太阳能电池.首先介绍了CIS(CIGS)薄膜的性能与掺杂对电池的影响,讨论了多种薄膜沉积技术及其优缺点,重点介绍了几种低成本制备技术及其影响因素,最后阐述了CIS(CIGS)薄膜电池的发展情况,并展望了CIS(CIGS)电池的发展趋势.     

一种非线性控制的PFC Cuk AC/DC变换器

主要分析了不连续导电(DCM)模式下，基于非线性单周期控制的Cuk有源PFC电路的工作原理，给出了设计实例和仿真结果，证明了理论分析的正确性。     

移相控制电路应用方法的改进

TCA785是一种优秀的移相控制电路，在晶闸管控制中广泛应用：根据TCA785电路在一台逆变器实际运用中出现的一些问题，提出改进方法。     

LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的发雾分析

叙述了采用LPCVD系统淀积多晶硅薄膜的机理,分析了在淀积多晶硅薄膜过程中引起发雾的因素,指出了保持LPCVD系统的洁净能有效消除在淀积多晶硅薄膜过程中出现的发雾现象.     

超短半径水平井轨迹控制技术

随着油田开发进入中后期，许多油水井井况恶化，甚至报废。修复报废井，开采薄油层，已成为中原油田稳产的重要措施。在老井中洗套侧钻采用超短半径水平井打开目的层可降低钻井成本、最大限度地增加泄油面积，乃为国内、外所公认。但实现水平段的轨迹控制是一项关键技术，尚待解决参考国外相关技术不失为启发思路的一有效手段。本文重点介绍了超短半径水平井的最新成果、井眼轨迹控制方法以及井眼轨迹自动控制技术的发展趋势，对推动     

提高鼓风炉处理高铅渣能力的探讨

分析了鼓风炉处理高铅渣时床能力较低的原因,从渣型、鼓风量、富氧浓度以及操作参数等方面探讨了提高鼓风炉处理高铅渣能力的途径.