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研究了Na对新型(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响。当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V／mm增到919V／mm。样品的微观结构分析发现，当Na2CO3的含量从0增加到1．2mol％时，SnO2的晶粒尺寸明显的变小。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因。对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。掺杂0．4mol％Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28．4．击穿电压为755V／mm，掺杂1.2mol％Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11．5，击穿电压高达919V／mm，它们在中高压保护领域会有很好的应用前景。本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中，而是处于间界上，从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因。 相似文献
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Bi过量和Mn掺杂的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷 总被引：1，自引：1，他引：0
采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1–y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1–x)O3无铅压电陶瓷,获得了d33高达185pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。对Bi的挥发进行了补偿,添加过量Bi2O3(摩尔分数z=0.08)的钛酸铋钠基压电陶瓷,d33高达218pC/N。研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响,获得了高性能的无铅压电陶瓷,其中d33为214pC/N,kt为0.44,k33为0.52。 相似文献
