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共沉淀法YAG、Nd:YAG纳米粉体的制备、结构与光谱性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
采用共沉淀方法,以氨水为沉淀荆,与硝酸盐的混合溶液反应得到YAG、Nd:YAG前驱体,并在不同的温度下对前驱体进行锻烧。利用红外光谱(FT-IR)、热重/差热分析(TG/DTA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等技术对YAG前驱物及煅烧粉体进行表征,对Nd:YAG粉体的发光性能进行了测试。结果表明,在800℃下煅烧YAG前驱体,得到纯YAG晶相,无YAP、YAM中间相的出现;XRD、TEM和比表面分析表明在800~1000℃煅烧所得粉体晶粒直径为40~100nm,具有较好的分散性。同时荧光测试表明Nd:YAG粉体具有良好的发光性能。 相似文献
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采用共沉淀方法,以氨水为沉淀剂,与硝酸盐的混合溶液反应得到YAG、Nd∶YAG前驱体,并在不同的温度下对前驱体进行锻烧。利用红外光谱(FT IR)、热重/差热分析(TG/DTA)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等技术对YAG前驱物及煅烧粉体进行表征,对Nd∶YAG粉体的发光性能进行了测试。结果表明,在800℃下煅烧YAG前驱体,得到纯YAG晶相,无YAP、YAM中间相的出现;XRD、TEM和比表面分析表明在800~1000℃煅烧所得粉体晶粒直径为40~100nm,具有较好的分散性。同时荧光测试表明Nd∶YAG粉体具有良好的发光性能。 相似文献
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内蒙古东乌旗西南部的格根敖包组由于露头出露有限,接触关系不清,化石较少,长期以来是本区地层工作的难点,由于受到贺根山蛇绿混杂岩破坏以及新生代沉积物的覆盖,格根敖包组地层的划分与对比、地层的时代等一直比较混乱。本文按照岩性组合差异将格根敖包组划分为以中酸性火山碎屑岩夹火山熔岩及少量的正常碎屑沉积岩的第一岩性段;以正常碎屑沉积岩为主夹少量的中酸性火山碎屑岩的第二岩性段;以正常沉积碎屑岩夹生物碎屑灰岩透镜体的第三岩性段。在第一岩性段英安岩中采取同位素样品,挑选锆石进行U-Pb同位素测年,获得了(310.5±2.9)Ma的年龄信息;在第三岩性段中采集腕足类动物化石、海百合茎植物化石,经鉴定其时代为石炭纪—二叠纪,最终将格根敖包组地层时代定为晚石炭世—早二叠世。 相似文献
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以往城市地下空间探测主要采用钻探结合以电阻率方法为主的传统电法勘探,但钻探施工成本高且破坏性较大,传统物探精度相对较低。为建立基于物探探测精度和经济性的综合方法组合模式,本文在综合分析前人相关研究基础上,选择了传统电法中的高密度电法、浅层地震中的面波法和地震映像法、国内新兴的SSP地震散射波法,检验其在铁路顶管、疏松体、地下空洞等城市浅层地下目标体探测中的应用效果。通过城区地下不同地质结构地球物理综合方法应用探索,取得主要结论与成果有:(1)总结了不同地质条件下各方法的优点及局限性;(2)建立了不同工况下基于经济性和探测精度的可参考物探组合模式。研究成果一方面有助于提升城市浅部地下空间探测精度,具备可转化应用的较大经济价值;另一方面作为相对前沿和系统的方法有效性研究,对推动城市地球物理发展具有重要意义。 相似文献
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高密度发光材料γ-Bi2WO6:Pr3+的发光性质研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了用固相法制备的高密度发光材料γ-Bi2WO6Pr3+的结构、光致发光光谱、激发谱和γ-Bi2WO6的漫反射谱.由实验测得它的晶格参数为a=5.45A,b=16.42A,c=5.43A,密度Dx=9.53g/cm3.它的光致发光光谱主发射峰位于600、608、611、629nm,分别来自于pr3+的1D2→3H4、3P0→3H5、3P0→3H6、3P0→3F2跃迁的发射.其激发谱由位于约225~430nm范围内、最大值约在372nm的主激发带和450nm的激发峰组成;主激发带来自于基质,可能是基质的带间吸收、W-O间电荷迁移吸收和缺陷能级的吸收;450nm的激发峰来自于pr3+的3H4→3P2跃迁吸收.BWOPr3+的最佳掺杂浓度为0.8mol%左右. 相似文献
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含钪石榴石Nd:GSGG晶体的原料制备、晶体生长及结构研究 总被引:5,自引:0,他引:5
提拉法生长的Nd:GSGG是性能优良的激光晶体,在固体强激光领域有重要的运用前景.采用液相共沉淀法制备了GSGG的前驱物,将前驱物在较低的温度下烧结,获得了GSGG多晶原料,用提拉法生长了无散射、气泡、云层、无开裂的φ2626mm×45 mm的含钪石榴石Nd:GSGG晶体.用X射线衍射对GSGG的共沉淀前驱物在不同烧结温度下的相变情况进行了研究,表明在900℃烧结温度下,GSGG前驱物即可反应形成GSGG多晶,这比固相法合成GSGG料的反应温度低了200℃.同时,用X射线衍射对GSGG多晶、Nd:GSGG单晶的结构进行了研究,采用最小二乘法,以f(θ)=sin θ-sin1-Tθ(T=20)为外推函数,计算了GSGG多晶和Nd:GGG单晶的晶格参数,分别为1.257547 nm、1.256163 nm.它们之间的晶格参数差异可能是由于Ga组分的不同所引起的. 相似文献
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