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采用共沉淀方法,以Gd2O3、Al(NO3)3·9H2O、Nd2O3(Yb2O3)为原料、氨水为沉淀剂,合成了Nd:GdAlO3(5%(原子分数))和Yb:GdAlO3(5%(原子分数))纳米多晶粉末,采用X射线衍射(XRD)和Rietveld精修方法对晶体结构进行了研究,采用场发射扫描电镜(FESEM)对晶体的形貌进行了研究,同时对晶体的发射光谱进行了测量.XRD结果表明,在较低的煅烧温度和较短的煅烧时间下(1000℃,保温3h)可获得纯Nd:GdAlO3和Yb:GdAlO3晶相,同时晶粒尺寸随着煅烧温度的升高而增大.Rietveld精修结果表明半径较大的Nd3 离子的掺杂,使GdAlO3晶体结构有从正交相向四方相转变的趋势.FESEM结果表明,颗粒大小均在纳米尺寸范围之内,且具有较好的分散性.在Nd:GdAlO3晶体的发射光谱中,在927、1077和1335nm附近出现的3个发射峰分别对应于Nd3 的4F3/2→4I9/2、4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2跃迁;在Yb:GdAlO3晶体中,主要发射峰波长位于979、997和1028nm处,其中1028nm处为最强发射峰,对应于Yb3 的2F5/2→2F7/2跃迁. 相似文献
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采用提拉法成功生长出高质量的GYSGG(Gd0.63Y2.37Sc2Ga3O12)晶体, 对其结构及透过光谱进行了研究。GYSGG晶体的晶格常数大于目前常用的GGG 和CaMgZr:GGG,介于YSGG与GSGG之间。可通过改变晶体中Gd与Y的比例, 获得应用中所需不同晶格常数的晶体基片。另外, 晶体三个结晶面的摇摆曲线有对称的形状和较小的半高宽, 表明晶体有较好的结晶完整性。观察分析了晶体三个结晶面的位错腐蚀图。透过光谱分析表明晶体有宽的透光波段, 将计算得到的折射率曲线拟合得到了折射率塞米尔方程系数。因此, GYSGG不仅是一种优良的激光基质晶体, 也是一种宽波段窗口材料和潜在的具有较大晶格常数, 并且晶格常数可调的新型磁泡应用衬底材料。 相似文献
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尿素共沉淀法制备Nd:YAG纳米粉体 总被引:1,自引:1,他引:0
采用共沉淀方法,以Nd2O3、Y2O3和Al(NO3)3?9H2O为起始原料,以尿素为沉淀剂,制备Nd:YAG纳米粉体,制备的粉体经XRD、TG-DTA、FESEM以及激光散射等测试手段对其结构和形貌进行测试研究。XRD表明,前驱体在900℃煅烧3小时出现了YAG相和YAM中间相,在1000℃及其以上煅烧3小时后已完全转变成YAG相,且随着煅烧温度升高,衍射峰逐步增强,900-1200℃煅烧的Nd:YAG晶格常数值从1.2012nm变化到1.1994nm,颗粒度从31nm变化到96nm,激光粒度仪也给出了类似的变化趋势。TG-DTA结果表明当前驱体加热到1200℃时,粉体总重量损失约为43%。对前驱体进行了水洗和乙醇洗两种洗涤,比较发现乙醇洗涤更有利于Nd:YAG纳米粉体的分散,这些实验结果可为制备优良YAG透明陶瓷粉体提供参考。 相似文献
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采用共沉淀方法,以金属Ga和Gd2O3为起始原料,以氨水为沉淀剂,制备了GGG多晶.测量了共沉淀方法制备的GGG多晶、固相反应法制备的Nd:GGG多晶以及提拉法生长的GGG、Nd:GGG晶体的X射线衍射谱(XRD),利用图解外推法计算了晶格参数.共沉淀方法制备的GGG多晶原料较固相法制备的Nd:GGG晶格参数小,可能是固相制备过程中Ga组分挥发导致Gd3 取代了Ga3 位以及Nd3 占据了部分的Gd3 位,从而使晶格参数变大.同时就提拉法生长的Nd:GGG晶体和GGG晶体的晶格参数进行比较发现,Nd:GGG晶体的晶格参数较纯GGG晶体的晶格参数大,说明在Nd:GGG晶体中Nd3 占据了部分的Gda 位.另外,晶体的晶格参数较多晶粉末的晶格参数大,分析认为这可能也是由于Ga组分的挥发导致Gd3 占据了Ga3 位所引起.这些实验结果说明Ga组分挥发在原料制备过程和晶体生长过程中都可能存在,因此应在制备原料和晶体生长等各个环节中考虑Ga组分的挥发.采用液相共沉淀方法制备有利于抑止Ga组分的挥发. 相似文献
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高阶高斯积分节点的高精度数值计算 总被引:1,自引:0,他引:1
在工程数值计算、X射线衍射线形分析、光谱学等领域常使用高斯数值积分,高
斯积分的节点及权重因子是数值积分的必须数据。研究了高次勒让德、拉盖尔和厄米多项式的零
点,即高斯-勒让德、高斯-拉盖尔、高斯-厄米积分的节点的计算方法,给出了一种有效
的高精度数值算法——搜索迭代方法(scaniteration method,SIM)。根据勒让德、拉
盖尔、厄米多项式的特点,对拉盖尔多项式、厄米多项式的定义稍做变化后,获得了计算多项
式值的稳定递推关系。求它们的根时,先在一定范围内以一定的步长搜索根所在的 相似文献
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