量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响

研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响. 镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正方形元胞的四个角上的，考虑到现有的量子点生长技术，量子点偏离理想位置的情况是不可避免的. 模拟了在正态分布误差存在时镜像电荷QCA的工作情况，并估算了在较小的介电常数下镜像电荷QCA可能达到的最高工作温度. 仿真结果表明正态分布标准差sigma小于0.1时，镜像电荷QCA可以正常工作，同时缩小QCA的元胞尺寸可以使镜像电荷QCA的最高工作温度达到室温以上.     

量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响

研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正方形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况是不可避免的.模拟了在正态分布误差存在时镜像电荷QCA的工作情况,并估算了在较小的介电常数下镜像电荷QCA可能达到的最高工作温度.仿真结果表明正态分布标准差sigma小于0.1时,镜像电荷QCA可以正常工作,同时缩小QCA的元胞尺寸可以使镜像电荷QCA的最高工作温度达到室温以上.     

An Ultra-low-power Area-efficient Non-volatile Memory in 0.18μm Single-poly CMOS Process

This paper presents an ultra-low-power area-efficient non-volatile memory (NVM) in a 0.18 μm single-poly standard CMOS process for passive radio frequency identification (RFID) tags. In the memory cell, a novel low-power operation method is proposed to realize bi-directional Fowler-Nordheim tunneling during write operation. Furthermore, the cell is designed with PMOS transistors and coupling capacitors to minimize its area. In order to improve its reliability, the cell consists of double floating gates to store the data, and the 1 kbit NVM was implemented in a 0.18 μm single-poly standard CMOS process. The area of the memory cell and 1 kbit memory array is 96 μm² and 0.12 mm², respectively. The measured results indicate that the program/erase voltage ranges from 5 to 6 V. The power consumption of the read/write operation is 0.19 μW/0.69 μW at a read/write rate of (268 kb/s)/(3.0 kb/s).     

量子点分布误差对镜像电荷自动元胞机的影响

研究了量子点分布的误差对镜像电荷量子元胞自动机(QCA)的影响.镜像电荷QCA每个元胞中的四个量子点是被严格限制在正方形元胞的四个角上的,考虑到现有的量子点生长技术,量子点偏离理想位置的情况是不可避免的.模拟了在正态分布误差存在时镜像电荷QCA的工作情况,并估算了在较小的介电常数下镜像电荷QCA可能达到的最高工作温度.仿真结果表明正态分布标准差sigma小于0.1时,镜像电荷QCA可以正常工作,同时缩小QCA的元胞尺寸可以使镜像电荷QCA的最高工作温度达到室温以上.     

基于中国国家标准的无线局域网芯片组

1引言 进入二十世纪九十年代以来,随着个人网络通信技术的发展,功能强大的多媒体终端和便携式数据终端迅速得到了普及。为了实现在任何时间和任何地点自由地进行网络通信的目标,网络通信技术开始从传统的有线计算机网络向无线和移动通信网络方向发展。无线局域网（WLAN）是九十年代末期发展起来的一种无线通信技术,它除了可以提供传统的有线计算机局域网技术的服务功能外,还具有安装便捷、组网灵活、组网成本低和可移动性的优势,因此,在很短的时间内得到了飞速的发展和广泛的应用。     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

CMOS超高频整流器

提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.     

碳基纳米技术

回顾展望了基于π-共轭分子体系的碳基纳米技术的三个重要研究领域:有机半导体体系、石墨烯和碳纳米管,并重点评述了相关的基础科学和技术研究进展.近年来,该领域取得了令人瞩目的发展和成果,对相关材料的结构、性质和性能等基本认识越来越深入,基于碳基纳米技术的器件正在逐渐融入到主流电子产品,在推动微纳电子学科的发展中起到越来越重要的作用.     

一种新颖的低噪声放大器的噪声优化方法

This paper proposes a novel noise optimization technique.The technique gives analytical formulae for the noise performance of inductively degenerated CMOS low noise amplifier（LNA）circuits with an ideal gate inductor for a fixed bias voltage and nonideal gate inductor for a fixed power dissipation,respectively,by mathematical analysis and reasonable approximation methods.LNA circuits with required noise figure can be designed effectively and rapidly just by using hand calculations of the proposed formulae.We design a 1.8 GHz LNA in a TSMC 0.25 μm CMOS process.The measured results show a noise figure of 1.6 dB with a forward gain of 14.4 dB at a power consumption of 5 mW,demonstrating that the designed LNA circuits can achieve low noise figure levels at low power dissipation.     

A low power automatic gain control loop for a receiver

This paper proposes a new structure to lower the power consumption of a variable gain amplifier(VGA) and keep the linearity of the VGA unchanged.The structure is used in a high rate amplitude-shift keying(ASK) based IF-stage.It includes an automatic gain control(AGC) loop and ASK demodulator.The AGC mainly consists of sixstage VGAs.The IF-stage is realized in 0.18μm CMOS technology.The measurement results show that the power consumption of the whole system is very low.The system consumes 730μA while oper...