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制备了立方织构和{110}双轴织构的银基带,通过准分子激光方法在所制备的双轴织构的银基带上直接沉积了YBCO超导薄膜,其中在{110}双轴织构的银基带上沉积的超导满膜的临界电流密度Jc值达到2×105~5×105A/ cm2(77K, 0T). 相似文献
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用自行研制的超声雾化装置在{110}<011>织构的Ag基带上直接沉积了YBCO涂层超导薄膜, 结果发现一步沉积所得YBCO薄膜的表面有许多白色小颗粒, 而且薄膜的织构和临界电流密度都较低, 这是在900℃高温沉积过程中大量的Ag蒸发和扩散到YBCO膜层中所致. 于是本文提出分高低温两步沉积的实验方案, 即700℃先沉积15min, 再升温到900℃沉积30min, 通过SEM对薄膜表面和EDS能谱对薄膜的断面进行分析可知, 两步沉积的YBCO薄膜中Ag的含量大大降低, 而且薄膜的织构和临界电流密度得到明显改善和提高, 最后通过两步沉积制备了15cm长、临界电流密度高于104A/cm2的YBCO超导薄膜. 相似文献
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高温超导Ag基带的织构研究 总被引:4,自引:0,他引:4
通过温轧及退火制备了强立方织构的Ag基带,通过冷轧及轩了强(110)双轴织构的Ag基带,为高温国涂层超导提供了很那的基带材料。探讨了Ag基带中立方织构和(110)双轴织构的形成机理。得到立方织我的关键是轧制时尽量使形变过程以滑移为主,从而有较高的C取向。通过财结晶首先出现立方织构晶核。得到(110)双轴织构的关键是利用Ag冷忆时黄铜取向易以孪晶方式形变的犒,保持B取向的稳定,再结晶地,利用其道德形 相似文献
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通过温轧及退火制备了强立方织构的Ag基带,并通过冷轧及退火制备了强的{110}双轴织构的Ag基带,为高温涂层超导提供了很好的基带材料.在所制备的强立方织构和强{110}〈112〉双轴织构的银带上,用准分子脉冲激光方法直接沉积了YBCO超导薄膜.{110}<211〉双轴织构的银带较立方织构的银带更利于YBCO薄膜的外延生长,在{110},211〉双轴织构的银带上沉积的YBCO薄膜,临界电流值达到2~6×105A/cm2(77K,0T). 相似文献
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石墨烯-铜纳米颗粒复合物具有良好的电导率、电催化活性和化学可修饰性,在电化学和生物传感器等方面有广泛的应用前景。本文采用水合肼和KBH4原位化学还原氧化石墨烯和Cu2+混合溶液制备石墨烯-铜纳米颗粒复合物。结果表明:石墨烯-铜纳米颗粒复合物只有在碱性或中性溶液中才能制备成功,水合肼比KBH4的还原效果好。水合肼还原后的石墨烯呈半透明薄纱状,铜纳米颗粒成功地、均匀地沉积在石墨烯纳米片上,独立存在不团聚,大小均匀,边长≈1μm,呈三角形或者六边形纳米片,正六边形纳米片的{111}面、不规则六边形和三角形纳米片的{110}面平行于石墨烯的二维平面。 相似文献
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Ni-W合金是制备YBa2Cu3O7-δ高温超导线(带)材的优良基带材料,对Ni-W基带要求是具有强的立方织构{100}<001>。本文采用放电等离子体烧结方法制备了Ni-W(%)合金,利用轧制辅助双轴织构基带技术(RABiTS)制备了Ni-W合金基带。利用X射线衍射方法研究了基带冷轧织构与W含量的关系,系统地研究了Ni-5%W基带的再结晶织构。研究结果表明:Ni-5%W基带是一个比较好的组分,通过大的冷轧形变量、较高的退火温度和两步退火的方式,有利于在Ni-5%W基带中形成单一的、强的立方织构。 相似文献
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通过对变形量为94.8%的Ag带在110℃不同时间下再结晶退火,并对其ODF和△ODF分析发现,Ag的再结晶是一个定向形核和长大的过程,再结晶时晶面基本保持不变,在晶面内晶向发生转动,分析可知在{023}面内{023}<301>取向首先转变为{023}<123>取向然后再转变成{023}<110>取向,在{110}面内,高斯、黄铜取向及{110}<311>取向不断减弱转变为{110}<110>取向,所以控制冷轧取向集中在{110}面上,可以获得取向更为集中的{110}<110>取向. 相似文献
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第2代高温超导材料YBa2Cu3O7-δ的涂层超导基带是目前国际上研究的一个热点问题,目前所采用的韧性金属基带多为Ni和Ni合金。研究表明,要得到高的临界电流密度,基带必须要有强的立方织构({001}<100>)。Ni-W合金基带同其他金属和合金基带相比具有以下特点:1)剧烈冷轧和再结晶退火 相似文献
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高纯多晶LaB6纳米块体阴极材料的制备及表征 总被引:4,自引:1,他引:3
采用放电等离子烧结技术, 以氢直流电弧法制备的La-LaH2纳米粉末为原料, 制备了高纯LaB6多晶纳米块体热阴极材料. 系统研究了LaH2的脱氢反应、SPS合成LaB6的烧结反应式, 并用XRD、SEM、TEM和AFM对LaB6烧结块体的相与结构进行了表征. 实验结果表明, LaH2在796.4℃时发生脱氢反应; SPS制备得到了单相LaB6纳米多晶块体, 纯度达到99.867%, 相对密度达到99.2%, 和其他烧结方法相比, 样品显微硬度及抗弯强度等性能显著提高. 晶体为大小均匀, 形态规则完整的等轴晶, 50MPa, 烧结温度1250~1350℃范围内平均晶粒尺寸为120nm, 随烧结温度的升高, 晶粒尺寸逐渐增大. 相似文献