氩氢摩尔比对直流电弧等离子体喷射法等离子体放电特征影响的计算

假定氩-氢等离子体处于局部热力学平衡状态,利用理想气体分子运动论和经典查普曼-恩斯科格(ChapmanEnskog)方法,在获取符合直流电弧等离子体喷射法实际工况的等离子体热力学和输运参数的基础上,基于FLUENT软件进行二次开发,添加电磁场相关的电流连续方程、安培定律等方程及洛伦兹力、焦耳热等源项,模拟研究氩氢摩尔比对等离子体放电特征影响规律.结果表明:在气压为8 k Pa,工作电流150 A,氩氢摩尔比由3∶1降至1∶3时,等离子体最大流速由829 m·s-1增至1127 m·s-1,最高温度由20600 K逐渐降低至16800 K,电弧对基体的加热能力逐渐增强的同时使基体表面温度均匀性变差.在其他条件不变的前提下,氩氢摩尔比为1∶2时能获得适宜金刚石生长且相对均匀的基体表面温度.      

台北前陆凹陷盖层滑脱冲断相关构造特点

台北凹陷是吐哈盆地的主体沉降区，在侏罗亿以后属于类前陆拗陷区，盖层沉积厚度大，在后期形成了广泛的盖层挤压滑脱相关构造体系。分析了火焰山滑脱冲断运动学过程，以及重点解剖了凹陷鄯善弧形带上的断层滑脱褶皱模式，强调了一旦承认滑脱构造在台北凹陷的广泛性，将对盆地构造格局、圈闭构造样式、油气运移分布的分析角度产生重大的影响。     

光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究进展

近年来，光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器由于其光束质量好、可实现大功率输出，受到了广泛的关注。在介绍其基本工作原理的基础上，综述了不同波段光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器的研究现状与进展，并分析、讨论了实现高功率光泵垂直扩展腔面发射半导体激光器面临的主要问题及解决方案。     

中央送风式螺旋加煤机在退火炉上的应用

宝鸡铁道部电气化器材厂6.2米~2马铁退火炉,作为铁路电气化接触纲线路金具退火,原采用人工加煤,因加煤是周期性的,炉温经常波动,炉内温差大,工件加热质量低,从烟囱大量冒黑烟,严重污染了工厂和市区的环境,损害了工人和居民的身体健康。铁道部建厂局设计处和宝鸡电气化器材厂共同对这台炉子进行了改造,从80年12月底改炉后至今,经过多次使用证明这套燃烧装置运行可靠,经济合理,取得了明显的效果。现将该炉的结构和生产情况介绍如下:     

金刚石自支撑膜的高温红外透过性能

由于金刚石具有低吸收和优异的力学与导热性能使其成为长波(8~12μm)红外光学窗口材料的重要选择。对于许多极端条件的应用,化学气相沉积(CVD)金刚石自支撑膜的高温光学性质至关重要。应用直流电弧等离子喷射法制备光学级金刚石自支撑膜进行变化温度的红外光学透过性能研究,采用光学显微镜、X射线衍射、激光拉曼和傅里叶变换红外-拉曼光谱仪检测CVD金刚石膜的表面形貌、结构特征和红外光学性能。结果表明:在27℃时金刚石膜长波红外8~12μm之间的平均透过率达到65.95%,在500℃时8~12μm处的平均透过率为52.5%。透过率下降可分为3个阶段。对应于透过率随温度的下降,金刚石膜的吸收系数随温度的升高而增加。金刚石自支撑膜表面状态的变化,对金刚石膜光学性能的影响显著大于内部结构的影响。     

多弧离子镀TiN和(TiZrCr)N膜中宏观颗粒的SEM分析

宏观颗粒是阻碍电弧离子镀广泛应用的障碍。它们镶嵌在膜层中,或散布在膜层表面。引起薄膜微区成分和结构的突变,对于工具镀来讲不一定有害,而对于高档模具和装饰来讲无疑是有害的。由于真空电弧阴极斑点局部温度高达8000～40000K,阴极表面的微小熔池产生喷射,最终形成这些宏观颗粒。许多方法用来减少和消除真空电弧离子镀中的大颗粒。本文比较了在直流偏压、直流迭加脉冲偏压和磁场过滤电弧作用下的宏观颗粒特点。实验方法用4弧源真空电弧离子镀设备进行TiN膜的沉积,用Zr、Cr、Ti靶进行(ZrCrTi)N复合膜的共沉积。工艺条件为:电弧电流80…     

磁过滤对多弧离子镀(TiAl)N薄膜的影响

介绍了利用过滤电弧离子镀沉积(TiAl)N薄膜初步的研究结果.在电弧靶材前沿的磁场作用下,有效减小了薄膜的宏观颗粒尺寸,并极大地降低了颗粒密度.同时,过滤电弧的作用,使偏压对膜成分的影响减弱,薄膜的硬度随膜中铝含量的增加而提高,(TiAl)N的抗氧化能力明显提高.     

铝合金轮毂失效分析北大核心CSCD

某汽车铝合金轮毂在使用一年后发现裂纹,通过断口宏观和微观分析、金相组织分析、化学成分和力学性能检测等。结果表明:轮毂材料因变质不良,组织中残留较多的条块共晶硅和细长针状β相;这种组织缺陷易割裂金属连续性,引起应力集中,降低材料力学性能,特别是塑性显著降低,导致轮毂在安装和使用过程中不能承受内外应力的共同作用而开裂。     

Design of a three-layer hot-wall horizontal flow MOCVD reactor

A new three-layer hot-wall horizontal flow metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor is proposed.When the susceptor is heated,the temperature of the wall over the susceptor also increases...     

Sputtering of W-Mo alloy under ion bombardment

１　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＩｎｔｈｅｓｕｒｆａｃｅａｌｌｏｙｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ,ｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｑｕａｌｉｔｙｂｙｌａｓｅｒｂｅａｍａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｂｅａｍａｌｌｏｙｉｎｇｉｓｄｉｆｆｉｃｕｌｔｔｏｃｏｎｔｒｏｌａｎｄｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｃｈａｎｇｅｆｏｌｌｏｗｓ．Ｔｈｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆｔｈｅａｌｌｏｙｉｎｇｌａｙｅｒｆｏｒｍｅｄｂｙｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎｉｓｏｎｌｙａｂｏｕｔ１μｍ,ｗｈｉｌｅｔｈａｔｐｒｏｄｕｃｅｄｂｙｉｏｎｍｅｔａｌｌｉｃｃｅｍｅｎ…