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采用原子层沉积(ALD)方法,分别以VO(OC3H7)3和H2 O2为钒源和氧源,在载玻片基底上沉积钒氧化物薄膜;在还原气氛的管式炉中,对钒氧化物薄膜进行还原退火结晶,进而得到VO2薄膜晶体.通过扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)及X-射线光电子能谱(XPS)研究所制备的钒氧化物薄膜表面形貌、晶体结构以及组分的变化;利用傅里叶红外光谱(FT-IR)对VO2薄膜的红外透射性进行测试分析.结果表明:ALD所制备的薄膜以非晶态V2O5、VO2和V2O3为主;在通以还原气氛(95%Ar,5%H2)并500℃热处理2h后得到以(011)择优取向的单斜金红石纳米VO2薄膜,VO2晶体薄膜相变前后红外透过率突变量较大. 相似文献
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原子层沉积(ALD)技术在制备薄膜时因具有厚度精确可控、三维均匀性好以及可以实现大面积成膜和低的成膜温度等优点而使其在各个领域受到广泛关注。本文采用ALD技术,以VO(acac)2和O2分别为钒源和氧源,使用不同的沉积温度(420~480℃)和退火条件(自然冷却、4和8h程序降温)在玻璃基底表面制备VO2薄膜。通过X-射线光电子能谱、X-射线衍射以及扫描电镜对薄膜的价态、结晶状况及表面微观形貌进行表征;通过四探针测试仪对所制备薄膜的半导体-金属相变特性进行了研究。实验结果表明:VO2薄膜相变特性与其微观结构和晶体取向有着直接关系。选择ALD脉冲时序为[10s-20s-20s-20s],循环周期数为300,在450℃沉积且采取自然冷却所制备的VO2薄膜结晶状态良好,相变前后薄膜方块电阻突变量大,具有良好的热致相变特性。因此,该ALD技术可以制备相变特性较好的VO2薄膜。 相似文献
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铬酸镧陶瓷脆性高、难以变形,使其在加工上存在难度。利用陶瓷连接技术可以将小部件连接为大部件,实现低成本制造形状复杂的大型陶瓷构件。以铬酸镧的前驱体料浆作为中间层材料,利用放电等离子技术进行了铬酸镧陶瓷的连接,测定了连接件的连接强度,并借助SEM、EDS等手段分析了连接温度及保温时间对连接件强度的影响。结果表明,连接温度为1400℃时,连接件可以获得最高的连接强度,连接过程中母材中出现第二相Cr4O5。 相似文献
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<正>6月3日,内蒙古水利厅在呼和浩特举办全区水利综合政务暨水利志编纂培训班。培训班传达了全国水利系统办公室主任会议精神,邀请自治区国家保密局和自治区办公厅信息处负责人分别 相似文献
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<正>8月24日下午,自治区河长办组织召开了全区河湖管理范围划定及重点工作推进会,自治区河长办主任、水利厅党组书记、厅长刘万华出席会议并讲话,水利厅副厅长于长剑主持会议,水利厅副厅长赵忠武、自治区水利规划设计研究院院长于铁柱出席会议。各盟市水利(水务)局局长(河长办主任)、分管副局长、相关业务科室负责人,厅机关相关处室负责人,自治区水利规划设计研究院领导和相关技术人员参加了会议。 相似文献
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