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21.
为解决波形采集、存储及回放的问题,详细介绍其基本原理、电路及程序设计.系统采用电压跟随器将信号衰减后经低通滤波器送入A/D转换器,完成数据采样,同时实现阻抗匹配并达到隔离效果.采用高性能低功耗LPC1758微处理器作为主控芯片,实现数据采集和处理,利用LPC1758微处理器自带的IAP技术实现数据转存至片内FLASH....  相似文献   
22.
介绍国外发达国家理工科类专业物理课程的教学地位、教学体系和教学特色;分析我国工科类物理课程教育的发展脉络和现状,尤其是归纳大学物理理论课程和实验课程所面临的具体问题,概述利用信息化教学手段是当前工科类物理课程教学改革的重要举措。指出要突破影响高等教育质量和物理课程教学质量的瓶颈,需要在教育观念、教学模式、管理体制上整体地协同创新。  相似文献   
23.
光纤复合架空地线耐雷击性能分析(上)   总被引:2,自引:1,他引:2  
文章简要介绍了当前国内OPGW的断缆情况和事故分析;分析了雷电放电的两种基本的电流形式即脉冲冲击电流和长时连续电流对OPGW的危害程度,在此基础上,得出长时连续电流形成的稳定电弧,它是引起OPGW熔化断股的主要原因,而放电电荷(电荷转移量)是决定对OPGW伤害大小的最重要的参数。同时分析了影响OPGW的耐雷击性能的因素。  相似文献   
24.
采用MEMS技术制备了一体化集成的EFI芯片,研究了EFI芯片起爆HNS-Ⅳ炸药的能力,试验结果表明在起爆电压高于2 400V下EFI芯片能够成功起爆HNS-Ⅳ炸药,并且可靠地剪切出飞片。设计了3种桥箔和加速膛尺寸匹配关系的EFI芯片,用兰利法测试其发火感度。结果表明桥箔尺寸为0.3mm×0.4mm、加速膛直径为0.3mm时,EFI试验件的发火感度最高,50%发火电压为1 928V,全发火电压为2 013V。  相似文献   
25.
基于非硅微制造工艺的爆炸箔起爆器研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了实现爆炸箔起爆器的集成化和批量化制备,研究了爆炸箔起爆器非硅微制造工艺技术。采用磁控溅射和光刻技术制备了桥箔,通过紫外厚胶技术在桥箔上制备了聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶飞片层,并利用SU-8光刻胶集成制造了加速膛,划片后一个衬底上制备了268个爆炸箔起爆器组件,每个组件的体积为0.018 cm3. 集成后的爆炸箔起爆器50%发火感度为2 185 V. 试验了爆炸箔起爆器组件的耐高温性能,结果表明在160 ℃下经历50 h以后,爆炸箔起爆器组件依然可以正常起爆Ⅳ型六硝基菧炸药柱。  相似文献   
26.
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上制备了NiZn铁氧体薄膜,研究了退火温度对薄膜性能的影响.采用XRD分析仪分析了薄膜的相结构,原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌,振动样品磁强计测量了薄膜的磁性能,结果表明,随着退火温度的升高,薄膜的结晶状态越好,晶粒尺寸越大,饱和磁感应强度越高,面内矫顽力越小.  相似文献   
27.
该文介绍了智能热敏电阻的优点,智能热敏电阻相当于一个可延时的无触点自动开关,是电子镇流器灯丝预热线路上的理想元件。  相似文献   
28.
将聚偏氟乙烯(PVDF)溶于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)和丙酮混合溶剂中,静电纺丝,并进行碳化得到碳纤维(CF),用作锂(Li)金属电池阳极三维(3D)集流体。与传统的Cu集流体比较,它能为锂提供储存空间,增加锂成核点,降低电流密度,并为锂提供传输通道,减少循环过程中的体积变化,从而抑制锂枝晶的生长,提高锂金属电池的电化学性能。利用电子扫描电镜(SEM)对其进行锂沉积实验,发现CF上锂枝晶明显减少。对其进行电池性能测试,发现基于CF的集流体与传统铜集流体相比,其电池性能得到明显改善。  相似文献   
29.
李可为  张玉平 《电讯技术》2012,52(5):818-821
当前大多数DDS实现方案要满足工程要求,成本和复杂度都很高。为此,提出一种基于 相位合成利用低端FPGA实现DDS的优化设计方案,介绍了其硬件和软件实现。 实测结果表明,所设计的DDS功耗低,输出信号频率稳定度高,频率转换速度快,输出频 点灵活,任意设置信号波形效果好,能普遍应用于通信调制、仪表检测、信号发生中。  相似文献   
30.
为了实现对微小数值的电阻进行准确和高精度的测量,本文设计了以STC12C5A60S2单片机为核心,利用直流电压源和运算放大器组成一个多值恒流源,实现多量程电阻精确测量。利用单片机内部集成的A/D转换器对被测电阻两端的电压进行采样,通过数值比对,自动控制各个电阻档位继电器的开关,实现量程自动切换功能。用键盘输入筛选电阻阻值及误差值,通过单片机对步进电机的控制来实现电位器阻值的变化,由LCD12864显示测量数据和变化的曲线,符合筛选条件时,系统发出声音提示,实现准确、快速筛选电阻。  相似文献   
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