从对比中更好地把握微积分的教学改革

美国微积分教学改革的许多方面值得借鉴.从对比的角度反思微积分教改的不足和差距,以便更好地把握今后的教改工作,明确在点点滴滴的教学过程中,应当实实在在地做些什么、怎么做.     

利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱

报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。     

基于插桩技术的动态测试研究与实现

为了动态进行白盒、黑盒测试,设计实现了基于源代码插桩的动态测试工具,该工具包含了源代码的预处理方法、插桩库设计、插桩策略以及统计分析等内容。通过对源代码的语法、词法分析,对其插桩能获取最高的准确度,并且设计在函数执行,结束之前统一将桩信息写入桩文件中,减少了大量的I/O操作。最终,通过测试用例的执行获得了覆盖率、执行时间、复杂度等测试数据,正确地得到了测试用例优劣性的指标。     

一种基于改进网格聚类的雷达信号分选算法

将网格聚类算法用于雷达信号分选,针对传统网格聚类算法执行效率不高,聚类精度低等问题,对传统网格聚类算法进行了改进,最后通过仿真实验验证了改进算法有效性和先进性。     

电力线通信室内互联技术电磁发射测试与分析

对高速宽带电力线通信（BPL）在室内互联场景下的应用进行了分析和测试,特别详细描述BPL产品的电磁发射测量。最后根据测试结果给出了BPL室内互联的应用建议,并对BPL产品的电磁兼容标准进行了初步探讨。     

浅谈Visual Basic访问Oracle数据的几种方法

介绍了VB提供的几种访问Oracle数据库的方法:数据访问对象(DAO)、远程数据对象(RDO)、ActiveX数据对象(ADO),Oracle的OLE对象、数据控件访问Oracle等几种方法,并给出了部分典型的访问ORCAL数据库的方法,对从事信息管理系统的开发和研究有一定的指导意义.     

测控软件算法的组件封装技术研究

基于Visual C++开发测控系统软件,为保护开发者的知识产权,也为程序高效稳定执行,提出了应用DLL与COM技术将核心信号处理算法封装起来,作为独立的组件使用,只留下调用接口供开发者调用,算法细节对调用者不可见.详细讨论了VC编程环境下各类复杂DLL的封装与调用技术,掌握并应用这些技术,可设计出基于客户/服务器模式的测控系统软件,既使测控软件运行效率高,也使开发者的知识产权得到充分保护.笔者在多个项目中使用这些封装技术,结果表明,测控系统运行稳定可靠,核心算法得到了有效保护.     

广州市城市三维景观地图网站的建设与开发

基于GIS、三维建模、虚拟仿真等相关技术,建立了广州市城市三维景观地图数据库,开发了三维景观地图网站,并应用于第16届广州亚运会地图网站,本文对网站数据内容及模型标准（包括数据范围和内容、三维模型数据精度、三维场景效果）、三维景观地图制作流程（包括数据源获取、地物CAD建模、场景渲染及拼接）、网站功能（三维景观地图的查...     

近红外光谱技术的定性和定量分析

近红外光谱(NIR)分析技术具有简便、快捷、低成本、无污染以及不破坏样品等优点,是近年来发展最为迅速的实用分析技术之一.从近红外光谱的原理、特点以及定性分析和定量分析应用方面进行了论述,阐述光谱解析在近红外光谱定性和定量研究中的重要作用.     

背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响

利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓度达到2.49×1013 cm-2,且不随势垒层厚度的变化而变化。重点模拟研究了具有背势垒的InAlN/AlN/GaN/AlGaN/GaN和InAlN/AlN/GaN/InGaN/GaN两种结构的能带结构和2DEG的分布情况。理论结果表明,采用AlGaN背势垒结构时,对于AlGaN的任意Al组分,GaN沟道层导带底能量均被抬升,增强了AlN/GaN三角势阱对2DEG的限制作用,提高了电子迁移率。采用InGaN/GaN作为背势垒结构,当InGaN厚度为2或3 nm时,三角势阱中的2DEG随InGaN中In组分的增加先升高后降低,这主要是由于GaN/InGaN界面处产生的正极化电荷的影响,引起电子在AlN/GaN三角势阱和InGaN/GaN势阱之间的分布变化。