钽抛光及抛光机理的探究

为拓宽CMP技术应用领域,研究了中国工程物理研究院机械制造工艺研究所提供的钽片的抛光,打破过去以机械加工为主的加工手段,采用提高化学作用的方法,加入螯合剂、有机碱、活性剂等助剂,对钽进行抛光.结果发现,钽表面的粗糙度较小,表面状态良好,说明增强化学作用可以提高抛钽效果.对钽的CMP机理做了分析与推测,为钽CMP进一步研究奠定了基础.     

HF溶液中铜离子在硅片表面沉积的研究

研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积.GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致.加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大.     

新型CMP用二氧化硅研磨料

介绍化学机械抛光技术的重要性,找出影响其性哪料种类做概要论述,找出其优缺点.并在前人研究的基础上研制出更具优势的抛光研磨料,详细介绍其特点及使用条件,另对它的使用效果进行了简要说明.     

ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究

对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法。     

硅外延片滑移线产生因素的试验研究

本文通过大量试验,分析出了硅外延产生滑移线的主要因素;并对消除滑移线的工艺和热处理条件选择地进行了试验总结,取得了可实用的工艺方法.     

无磨料复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制

目的研究一种复合清洗剂对铜膜表面腐蚀缺陷的控制效果。方法通过单因素实验优化无磨料复合清洗剂组成和相应的清洗工艺,并通过研究优化的清洗条件对不同类型铜晶圆表面划伤、残留颗粒的清洗效果,验证该清洗剂的清洗性能。结果优化的清洗剂组分和清洗工艺为:金属离子螯合剂体积分数0.025%,表面活性剂体积分数0.1%;清洗剂温度30℃,清洗剂流量3 L/min。优化的复合清洗剂能大幅度降低铜膜表面划伤和表面粗糙度,对铜膜表面残留的颗粒有较强的去除作用。结论优化的复合清洗剂能够对不同类型铜晶圆表面缺陷进行大幅度的修正,研究成果对提高大规模生产中晶圆的成品率有一定的指导作用。     

ULSI 多层布线中Cu 的CMP 技术

作者对当前ULSI多层布线中金属铜的CMP技术作了系统的介绍,对抛光机理、多层布线中铜图案成型技术、浆料目前的种类及成分和表面完美性问题作了详细地分析和论述,并且对目前存在问题及解决的方法和发展方向进行了讨论。     

化学机械抛光制程中铜抛光液平坦化能力的评估

The evaluation methods of planarization capability of copper slurry are investigated.Planarization capability and material removal rate are the most essential properties of slurry.The goal of chemical mechanical polishing(CMP) is to achieve a flat and smooth surface.Planarization capability is the elimination capability of the step height on the copper pattern wafer surface,and reflects the passivation capability of the slurry to a certain extent.Through analyzing the planarization mechanism of the CMP process and experimental results,the planarization capability of the slurry can be evaluated by the following five aspects:pressure sensitivity,temperature sensitivity,static etch rate,planarization efficiency and saturation properties.     

新型CMP用二氧化硅研磨料

介绍化学机械抛光技术的重要性，找出影响其性能的关键冈素即为研磨料。然后对常用的研磨料种类做概要论述，找出其优缺点。并在前人研究的基础上研制出更具优势的抛光研磨料，详细介绍其特点及使用条件，另对它的使用效果进行了简要说明。     

硅研磨片超声波清洗技术的研究

介绍了硅研磨片清洗的重要性,分析了影响硅研磨片质量的主要因素,即金属杂质和各种污染物.重点分析了硅研磨片表面沾污的原因,并且通过大量的实验分析得到了活性剂和碱性清洗液、去离子水的最佳体积比是0.20:1.00:10.0,清洗的最佳时间为3 min～5 min和最佳温度范围为40℃～50℃.