提高催化裂化装置(FCCU)柴汽比措施

为了满足市场的需要,中石化天津分公司炼油厂根据FCCU自身特点采取了一系列提高柴汽比的措施,包括:调节反应系统和分馏的操作条件及采用MGD技术,以提高柴油产率。实施后,FCCU的柴汽比从0.5提高到0.9,创造了良好的经济效益。     

裂缝性低渗透油藏注采系统调整技术研究

裂缝性低渗透油藏，在正方形井网反九点注水方式开发过程中，表现出与裂缝走向一致的注采井见效快，含水上升快，甚至暴性水淹，而与裂缝走向垂直的注采井见效差，地层压力低、油井产液能力低。为此，通过对裂缝性低渗透油藏由反九点注水转线状注水渗流特点、油水井数比影响因素和注采系统调整作用的探讨，结合外围朝阳沟和头台等裂缝性低渗透油田注采系统调整效果，提出了适合外围油田不同裂缝走向与井排方向夹角井网转线状注水的合理调整方式，为裂缝性低渗透油田注采系统调整提供了理论和实践依据。     

低孔隙度低渗透率储层孔隙压力流体评价方法

针对鄂尔多斯盆地靖边气田上古生界地层特点,建立了一套全新的适合该地层的孔隙压力评价技术.孔隙压力流体评价方法所涉及到的孔覆比和裂缝延伸梯度等参数均为首次定义.该方法数据来源于常规测井的三孔隙度测井及相关测井曲线,利用重点井的地层孔隙压力实验测试结果,结合阵列声波测井,推出了利用地层孔隙压力参数评价储层的新方法.综合应用孔覆比、裂缝延伸梯度和地层孔隙压力梯度等3个重要的孔隙压力参数进行地层评价,可明显提高测井解释的符合率.在识别储层含流体性质和确定非储层岩性方面给出了孔隙压力参数具体判识数值.储层含可动流体时,孔覆比变化范围0.40～0.43,裂缝延伸梯度0.027～0.034,地层孔隙压力梯度0.09～0.110.在结合其它解释方法的基础上,孔隙压力参数的流体分析解释方法应用效果更佳.选取了靖边气田18口井的上古生界地层进行了实例效果评价,解释结果与地质实际吻合良好,使其解释符合率大幅度上升,该方法可推广到其他类似低孔隙度低渗透率地层.     

丙烯酸/α-甲基丙烯酸/丙烯酰胺共聚物智能水凝胶的合成及评价

由丙烯酸（AA）、α-甲基丙烯酸（MAA）和丙烯酰胺（AM）合成了具有很好DH敏感性和一定温度敏感性的智能水凝胶，考察了合成温度、丙烯酰胺、交联剂和引发剂用量对制备的水凝胶溶胀性能的影响。结果表明，在60℃下，单体从和MAA用量分别为100mmol和75mmol时，单体AM、交联剂和引发剂用量分别为反应物总质量的32．8％、0．2％和0．4％时，制备的水凝胶溶胀性能最好。考察了介质的离子浓度、pH值和温度对水凝胶溶胀比的影响，结果表明，离子浓度越大，水凝胶的溶胀比越小；水凝胶具有一定的DH可逆性。     

三重介质油藏干扰试井压力动态特征

在建立三重介质油藏试井解释模型的基础上，对该类油藏的干扰试井压力动态变化进行了研究；分析了井筒储存、表皮系数、窜流系数以及弹性储容比对观测井井底压力的影响。结果表明，表皮系数对观测井的井底压力没有影响，而井筒储存是否会对观测井井底压力造成影响取决于井筒储存系数的大小以及激动井和观测井之间的距离，窜流系数和弹性储容比对观测井井底压力的影响与单井试井的结果相类似。     

分组空时块码系统中的排序最大信噪比检测算法

提出并比较了应用于分组空时块码（G—STBC）系统中两种不同信道模型的排序最大信噪比（MaxSNR）检测算法。该系统在发端对发射天线分组，每组进行独立的空时块码编码；在收端应用排序最大信噪比算法进行检测。由于空时块码提供了额外的时域约束，所以可以利用这个约束对信道模型进行变换，得到一个等效信道模型，然后再使用排序MaxSNR检测；当然也可以直接利用原有的信道模型，即非等效信道模型进行检测。仿真结果表明：当接收天线数不少于发射天线数的一半时，采用等效信道模型下的排序MaxSNR算法，系统的误码曲线就能保持陡降性；并且在收发天线数相同时，其性能总是优于非等效信道模型。     

沙漠地区高精度地震资料处理技术

受静校正及各种类型干扰的影响,西部沙漠地区地震资料的高精度处理较东部地区有更大的难度。对准噶尔盆地中部Ⅱ区、Ⅲ区、Ⅳ区、顺托果勒等区块地震资料在振幅恢复、静校正、去除各类噪音、高精度速度分析及叠前、叠后子波处理等方面进行了大量的试验与研究,形成了较为系统的高精度地震资料处理技术,在西部不同区块地震资料处理中取得了较好的应用效果。     

全光网中的光信噪比估算与系统设计

指出了WDM光传送网中 ,级联光上下路节点或光交叉连接节点后 ,系统构成上与传统级联线路放大器情况下的差异以及常用光信噪比评估公式的近似性。对WDM光传送网中线路给出了一个等效模型 ,并详细推导了光信噪比的计算公式 ,同时计入了光放大器的自发辐射噪声引起的饱和效应。最后针对不同系统配置情况进行了光信噪比的估算 ,分析了估算结果及其对线路设计的指导意义     

Improving narrow bandgap a-SiGe:H alloys grown by hot-wire chemical vapor deposition

We have improved the electronic properties of narrow-bandgap (Tauc gap below 1.5 eV) amorphous-silicon germanium alloys (a-SiGe:H) grown by hot-wire chemical vapor deposition (HWCVD) by lowering the substrate temperature and deposition rate. Prior to this work, we were unable to grow a-SiGe:H alloys with bandgaps below 1.5 eV that had photo-to-dark conductivity ratios comparable with our plasma-enhanced CVD (PECVD) grown materials [B.P. Nelson et al., Mater. Res. Soc. Symp. 507 (1998) 447]. Decreasing the filament diameter from our standard configuration of 0.5 mm to 0.38 or 0.25 mm provides first big improvements in the photoresponse of these alloys. Lowering the substrate temperature from our previous optimal temperatures (T_sub starting at 435 °C) to at 250 °C provides additional photo-to-dark conductivity ratio increasing by two orders of magnitude for growth conditions containing 20–30% GeH₄ in the gas phase (relative to the total GeH₄+SiH₄ flow).     

新安江流域安徽省地区水环境状况分析

统计分析流域内点源污染、面源污染产生量与污染物入河量的调查监测数据,结果表明:安徽省辖新安江流域点源入河系数约为面源入河系数2~3倍,点源污染是流域内主要污染来源,但面源污染的作用不容忽视,尤其是总磷,有近2/3来自面源,相对省辖淮河、长江两流域来说,面源污染贡献率明显增大。指出流域污染防治必须综合考虑点、面源污染两个方面;在点源污染不太严重的情况下,对面源污染的治理必须引起足够的重视,才能取得实效。