光加热金属有机物化学气相淀积生长氮化镓

我们用光加热低压金属有机物化学气相淀积方法在α－Ａｌ２Ｏ３衬底上成功地外延生长出高质量的纤锌矿结构ＧａＮ．生长温度约９５０℃,比普通射频加热的ＬＰ－ＭＯＣＶＤ生长温度低１００℃．外延层（０００２）晶面Ｘ射线摇摆曲线半高宽（ＦＷＨＭ）为９．８′．光致发光谱（ＰＬ）有很强的带边发射,没有观察到“黄带”发射．范德堡法霍耳测量表明样品载流子浓度为１．７１×１０１８ｃｍ－３,霍耳迁移率为１２１．５ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．结果表明,光辐射有利于增加生长过程中ＮＨ３的分解,并有利于抑制寄生反应,从而降低生长温度,提高样品质     

InGaN/GaN多量子阱LED电致发光谱中双峰起源的研究

研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2.45eV的绿光发光峰和2.81eV处的蓝光发光峰.随着电流密度增加,双峰的峰位没有移动,直到注入电流密度达到2×104 mA/cm2时,绿光发光峰发生蓝移,而蓝光发光峰没有变化.单色的阴极荧光谱(CL)发现绿光发射对应的发光区包括絮状区域和发光点,而蓝光发射对应的发光区仅包含絮状区域.通过以上的结果,我们认为蓝光发射基本上源于InGaN量子阱发光,而绿光发射则起源于量子阱和量子点的发光.     

平滑铝护套电缆涂覆技术及安全性能分析

对原有皱纹铝护套电缆的沥青防腐应用技术缺陷进行分析,创新设计了应用于平滑铝护套电缆的热熔胶材料。对涂敷热熔胶防腐层的平滑铝护套与皱纹铝护套电缆的安全性能方面进行了对比分析,结果表明涂敷热熔胶防腐层的平滑铝护套电缆运行更安全,有很好的市场推广价值。     

氯虫苯甲酰胺的合成

[目的]开发出一种反应条件温和、原料成本低、适合工业化生产的氯虫苯甲酰胺的合成方法。[方法]以廉价的2,3,6-三氯吡啶为原料，经肼解、加氢还原、环合、“一锅法”溴代-水解得到3-溴-1-(3-氯-2-吡啶基)-4,5-二氢-1H-吡唑-5-甲酸，然后分别与SOCl2和2-氨基-5-氯-N,3-二甲基苯甲酰胺反应得到氯虫苯甲酰胺。[结果]该方法合成的产物含量为95.5%，收率为51.09%(以原料2,3,6-三氯吡啶计)。[结论]所开发的方法既避免了反应条件苛刻和环境不友好等缺点，又降低了合成成本。