红外探测技术的应用与分析

介绍了红外探测技术的发展历程以及装备的研制、改进情况,指出了发展红外探测技术的优势和重要性,重点探讨了几种红外探测技术的性能及其特点.最后分析了红外探测技术的未来发展趋势.     

输出反馈任置极点的精确解与粗壮性

本文研究m+r-1≥n的完全系统.n、1、m分别是系统的状态、输入、输出变量个 数.以前对任置极点只证明了ε-近似解的存在性,本文则证明了精确解的存在性,并进而给 出了几乎全部精确解集的全部自由参数.本文指出,利用文[1]的指标,可对这些参数进行两 级递阶优选,从而使所配置的闭路特征结构对系统参数中可能出现的各种扰动不敏感,全方位 调节特性较优且保持相对稳定.     

基于双结构元素的数学形态学边缘检测方法

边缘检测是边界图像分割的一个关键步骤。传统的边缘检测常用一阶和二阶导数来求解,本文提出了一种基于双结构元素的检测方法,以数学形态学为理论基础,以小结构元素递推出大结构元素,并将大小结构元素复合求取最终边界。通过实验对比分析表明该方法能够较好地获取边界信息。     

浅谈OPC技术

本文介绍OPC标准，特点及OPC技术为自动化领域销售商和用户所带来的利益。     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术，特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术，它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%. 而且空穴有效迁移率的改善，随器件特征尺寸缩小而增强. 利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明，在沟道区相应的压应变为-3.6%. 在集成技术优化的基础上，研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路（其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器）, EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

基于MasterFieldBus总线技术远程数据采集/控制的设计及应用

介绍一种基于MasterFieldBus总线的远程数据采集／控制系统，并详细说明该系统的组成原理、硬件结构、软件结构及实现技术等。对设计过程中某些关键性问题给予详细的论述。     

磷脂酶A1催化水解大豆浓缩磷脂的研究

研究了反应温度、加酶量、底物比(水/磷脂,mL/g)、反应时间对磷脂酶A1水解大豆浓缩磷脂的影响.采用正交设计方法,确定了各因素影响的显著性顺序为:底物比>反应温度>反应时间>加酶量;磷脂酶A1水解大豆浓缩磷脂的最佳工艺条件为:反应温度40℃,加酶量600μL,底物比12,反应时间10h.最佳工艺条件下产物酸值达129.6mgKOH/g.     

金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization,MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化,MIC晶化温度能降低到440℃.采用XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性,对薄膜结构和组成进行了分析,对晶化过程的机理进行了讨论.     

金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究

利用金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ,ＭＩＣ）的方法研究了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ的低温晶化,ＭＩＣ的晶化温度降低到４４０℃。采用ＸＲＤ、Ｒａｍａｎ、ＳＥＭ和ＸＰＳ等手段研究了Ｎｉ－ＭＩＣ多晶硅薄膜的特性,分析了薄膜结构和组成,讨论了晶化过程的机理。     

TFT阵列金属电极的制备与性能

采用磁控溅射的方法制备Ｃｒ、Ｔａ、ＡＩ、Ｍｏ、ＭｏＷ等金属薄膜,采用ＸＲＤ、ＳＥＭ四探针法等分析手段分析了薄膜性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响,得到了制作ＴＦＴ器件中优质金属电极的工艺参数。