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目的 通过分子动力学(MD)模拟,获得双金刚石磨粒抛光单晶Si的去除机理.方法 采用一种新的单晶硅三体磨粒抛光方法,测试双磨粒的抛光深度和横向/纵向间距对三体磨粒抛光的影响,从而获得相变、表面/亚表面损伤等情况,并获得抛光过程中温度及势能的变化情况.结果 对比抛光深度为1、3 nm时配位数的情况,发现抛光深度为1 nm时,抛光完成时相变的原子数是4319,而抛光深度为3 nm时,相变原子数为12516.随着磨粒在Si工件表面抛光深度的加深,抛光和磨蚀引起的相变原子和损伤原子的数目增加.仿真结果还表明,单晶Si相变原子的种类和数目随磨粒横向间距的增加而增加,随着纵向间距的增加反而减少.系统的初始温度设为298 K,抛光深度为1 nm时,抛光完成时的温度是456 K,而抛光深度为3 nm时,温度是733 K.抛光完成时,纵向组和横向组的温度仅相差30~40 K.在抛光深度、横向间距和纵向间距3个对照组中,抛光深度对亚表面损伤的影响最大.抛光深度为3 nm时,亚表面的损伤深度最大,从而导致更多的材料从单晶Si工件表面去除.结论 双磨粒的抛光深度和间距不仅对硅的表面微观结构产生影响,还对相变产生影响.模拟参数相同时,较大的抛光深度和横向间距下会产生更多的相变原子,因此相变受抛光深度的影响最大,受纵向间距的影响最小. 相似文献
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运用文献资料、调查访谈等研究方法,对制约我国普通高校健美操选项课开展的制约因素进行总结分析,继而在分析的基础上提出建设性的意见,试图为高校健美操事业的蓬勃发展提供有益的借鉴。 相似文献
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根据建筑施工企业分散性和流动性的行业特点,总结了目前建筑施工企业培训管理存在的问题,对建筑施工企业人力资源管理的培训管理如何适应当前形势提出一些建议,以达到提高企业竞争力的目的。 相似文献
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论述多目标干扰模拟器中目标和干扰弹的运动特征.通过利用干扰模拟板上的阿基米德螺线,以及不同模拟板上的阿基米德螺线条数和模拟板的转动速度即可实现单干扰或多干扰等不同情况的干扰模拟,通过精度分析可以得知.此模拟系统可以满足要求标准. 相似文献
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对某数据机房进行测量,以实测数据作为模拟的边界条件,采用开箱模型对机房热环境进行数值模拟,将模拟值与实测值进行对比,验证了模型的可靠性。在此基础上,分别对不同架空地板高度,送风孔板孔隙率,冷通道宽度以及不同挡板间距和高度等工况进行模拟,分析了各种因素对数据机房热环境的影响,得到了各个参数的最佳值,为数据机房的安全运行与节能优化提供指导。 相似文献
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为了采集激波管的压力和数据,根据激波管原理和激波关系设计了适用于激波管的压力信号测试和数据采集系统。针对大尺度和长距离管道需要解决火焰速度的采集问题,用光纤传导和光电信号转换器,研制多通道火焰传感器测量系统。多次测试并分析压力和火焰信号,在实验中获得了可靠数据,提高了数据采集系统的性能。 相似文献