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11.
张鲁龄  魏钦华  秦来顺  史宏声 《材料导报》2018,32(22):3845-3847, 3861
采用垂直布里奇曼法成功制备出尺寸为Φ25 mm×70 mm的SrI2∶Eu∶Cs晶体,经加工后封装得到尺寸为10 mm×10 mm×10 mm的透明单晶,这是迄今为止Eu2+和Cs+双掺杂的最大尺寸SrI2单晶,所用原料为国产原料。XRD测试结果表明,所得晶体为SrI2正交相,空间群为Pbca。荧光光谱显示晶体的发射峰和激发峰分别位于440 nm和419 nm,属于典型Eu2+的5d→4f跃迁发射。X射线激发发射光谱显示该晶体只有一个位于440 nm的发射峰,与荧光光谱的结果一致。采用单指数拟合后得到晶体在370 nm激发波长下的荧光寿命约为1.3 μs。在137Cs射线源激发下的γ能谱测试显示晶体的能量分辨率为5.5%,已基本满足实际使用的要求。  相似文献   
12.
13.
铈掺杂铝酸镥(Ce∶LuAlO_3)晶体是一种具有钙钛矿结构的新型无机闪烁体。用提拉法试图从n(Lu2O3)∶n(Al2O3)=1∶1的熔体中生长Ce∶LuAl O3晶体。实验表明在缓慢结晶条件下得到的不是Ce∶LuAlO_3晶体,而是镥铝石榴石[Lu3Al2(Al O4)3]。只有急速降温才能够获得Ce∶LuAl O3晶体。退火和差热分析表明Ce∶LuAl O3晶体只存在于高温条件下,当温度下降时,它会分解成Lu3Al2(Al O4)3,Lu4Al2O9和Lu2O3。造成LuAl O3晶体在低温下结构不稳定的原因是Lu离子的半径太小,它只适应于配位数是8的石榴石结构,只有在高温下才能适应配位数是12的钙钛矿结构。  相似文献   
14.
通过燃烧法制备得到(Gd,Lu)203:Eu纳米粉体。利用傅里叶红外光谱仪,x射线衍射仪,高分辨透射电镜,激发和发射光谱来表征样品的结构和发光性质。结果表明,将燃烧法制备得到的粉体在800℃煅烧1h后,(Gd,Lu)203:Eu纳米粉体结晶为立方结构。通过增加硝酸盐(N)和甘氨酸(G)的摩尔比,经过煅烧的粉体颗粒的尺寸从15 nm增加到50nm,后又减小到40nm。而且发射光谱和激发光谱的性质比较依赖样品的颗粒尺寸。同时也发现,在此条件下制备得到的粉体非常适合制备(Gd,Lu)203:Eu的透明陶瓷。  相似文献   
15.
Lu2SiO5:Ce晶体生长中存在的主要问题   总被引:3,自引:0,他引:3  
秦来顺  任国浩  李焕英  陆晟  裴钰 《硅酸盐学报》2004,32(11):1361-1366
用提拉法生长了φ40 mm×60 mm的Lu2SiO5Ce(LSOCe)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀和挥发;(3)LSO晶体中的包裹体.生长LSO晶体过程中SiO2容易挥发,在籽晶夹和炉膛内结晶成方石英相,造成组分偏析;在高温下铱金坩埚会被熔蚀,铱则会直接挥发,熔体中出现铱金碎片,严重影响接种、缩颈工艺等,所生长晶体表面也会粘附很多铱金颗粒,采用双抽双充气的办法减弱了铱金的挥发,基本上克服了铱金的干扰;LSO晶体中出现的包裹物主要是Lu2O3,也有极少量的气孔,Lu2O3主要是由于固相反应不彻底和SiO2挥发引起的.  相似文献   
16.
闪烁晶体的生长与宏观缺陷研究   总被引:1,自引:1,他引:1  
用提拉法生长了Lu2Si2O7:Ce晶体,讨论了晶体生长过程中的几个问题;(1)熔体挥发;(2)晶体开裂;(3)层状包裹.生长过程中LPS和SiO2均存在挥发,其中后者占主导;LPS挥发不会造成组分偏析,因此对生长过程没有负面的影响.接种温度偏低导致晶体出现多晶化和晶体中较大的热应力是促使开裂发生的主要原因.层状包裹现象的出现主要是由于该晶体的结晶温度范围狭窄,熔体容易出现组分过冷,以及生长设备的温控系统精度不高等造成的.  相似文献   
17.
沈潇  魏钦华  张伟杰  唐高  陈振华  秦来顺  史宏声 《材料导报》2021,35(22):22022-22026
采用表面原位玻璃化处理方法,可成功制备高透过率的蓝宝石样品.紫外-可见透过光谱的测试结果表明,未抛光的蓝宝石基体经过表面玻璃化处理后透过率得到了显著的提高.经过玻璃化处理,蓝宝石的理论透过率从85%提高到90.2%.同时,测量并系统地讨论蓝宝石样品的热膨胀系数(CTE)、差示扫描量热(DSC)、折射率和显微硬度等一系列性能.结果表明,该玻璃层具有热稳定性良好、显微硬度高且与蓝宝石的热膨胀匹配度良好,其诸多物理性能可以通过调整玻璃层的组成和厚度来调控.研究表明,表面玻璃化处理是减少蓝宝石抛光时间和成本、提高粗糙表面蓝宝石光学性能的有效方法,为蓝宝石表面处理技术的发展提供了有益指导.  相似文献   
18.
用提拉法生长了40mm×60mm的Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)晶体,讨论了晶体生长中存在的3个主要问题:(1)偏组分;(2)铱金坩埚的被熔蚀和挥发;(3)LSO晶体中的包裹体。生长LSO晶体过程中SiO2容易挥发,在籽晶夹和炉膛内结晶成方石英相,造成组分偏析;在高温下铱金坩埚会被熔蚀,铱则会直接挥发,熔体中出现铱金碎片,严重影响接种、缩颈工艺等,所生长晶体表面也会粘附很多铱金颗粒,采用双抽双充气的办法减弱了铱金的挥发,基本上克服了铱金的干扰;LSO晶体中出现的包裹物主要是Lu2O3,也有极少量的气孔,Lu2O3主要是由于固相反应不彻底和SiO2挥发引起的。  相似文献   
19.
报道了一步法制备四氧化三铁/蒙脱土磁性纳米复合材料。使用XRD,TEM,VSM对材料进行了相关测试,从测试结果发现,用水热法制备的磁性纳米复合材料具有典型的层型结构。实验结果证明四氧化三铁纳米颗粒分别存在于蒙脱土的层间和片的表面,而且该层型复合材料保持了较高的比表面积(143m2/g)。这种新型磁性层型复合材料对于重金属离子具有很好的吸附能力。  相似文献   
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