从“可怕硅”、“摸死管”谈起——写在第四届电力电子论坛开幕之际

我们祝贺第四届中国电力电子论坛暨2004电力半导体器件及其应用装置失效分析研讨会的召开!     

电子技术入门讲座——第一讲 基础知识

当前我国经济发展需要大量具备一定电子技能的人才,对此已引起广大职业院校乃至普通学校的重视和加强。但是对于初学者来说,往往在""学这初",感到枯燥无味,灰心丧气,这是很正常的反应。为了让初学者能快速入门,激发初学者的学习兴趣,树立学习电子技术的信心,我们特刊登《电子技术入门讲座》。本讲座遵照初学者的认知规律,选用"扩音机"作为核心实例贯穿始终,由浅入深,循序渐进,采用启发式教学方法,从实际问题着手引入知识和理论。希望通过本讲座能够引导你轻松学习电子技术,带你真正走进电子世界这个领域,相信你一定会成为一名电子技术高手。     

三相全控桥式整流电路实验装置的研制

介绍了开发三相全控桥式整流电路实验装置的背景;叙述了TC787芯片的内部结构、工作原理、特点及芯片的各个管脚的功能;详细介绍了该实验装置的触发电路的设计思路、设计结果和工作原理;介绍了该实验装置的主电路部分的结构和特点。该实验装置性能可靠,符合本科生实验要求。     

纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

电子技术实验教学中科学素质与创新能力的培养

分析了当前高校电子技术实验教学中存在的一些问题，总结和介绍了作者在电子技术实验教学改革中针对提高学生科学素质和创新能力所做的一些工作尝试，并对进一步改革电子技术实验教学提出了设想。     

NdFeB永磁靶材溅射模拟

运用SRIM2006软件对Nd2Fe14B靶溅射过程进行了模拟,并就入射离子的入射能量和角度进行了分析,得到溅射产额与入射离子能量、入射角度以及溅射靶材的一般规律:1)溅射产额随着入射离子能量的增加而增加,在低能量区域增加很快,到了高能量区域增加变缓;2)溅射产额随着入射离子入射角度的增大逐渐增大,且在70°~80°出现极大值,如当入射离子的入射角度为75°,入射离子能量为7 keV时,溅射产额可达4.398(原子.离子–1);3)溅射原子的摩尔比与靶材原子摩尔比存在一定偏差,导致薄膜成分与靶材成分不一致。     

中美纳电子技术发展对比研究(续)

3 中美纳米技术经费支持对比 3．1 美国 NNI计划出台之前，美国政府对纳米技术研发的投入力度并不算大，如1997年投入约为1．16亿美元，比日本政府的投入（1．20亿美元）稍低，但也比除日和西欧国家之外的其他国家（包括中国、加拿大、澳大利亚、韩国、新加坡以及前苏联各共和国等）政府投入的总和（约0．71亿美元）高得多：NNI计划出台之后，美国政府对纳米技术研发的投入大幅度增加。2001年，美国政府纳米技术研发投入从2000年的2．70亿美元增加到4．22亿美元，净增1．52亿美元，年增幅达56．3％；2002年度美国政府的纳米技术投入预算为5．189亿美元，比2001年度约增长了23％。这种高增幅在美国政府其他方面的预算中并不多见。     

创维汽车移动影院——创维58BSV影音系统试用

随着电子技术的飞速发展，车界人士对影音的欣赏水平的提高，汽车影音的文化内涵也不断变化和丰富。人们对影音的要求也越来越个性化。为了满足人们的需求，影音界推出崭新概念式的车载DVD视听多媒体系统，好象一套小型的家庭影院，彻底改变固有行车观念，给您的旅程增添更真实丰富的色彩、勾勒出动人心弦的影音效果。