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溶胶—凝胶法莫来石被覆SiC复合微粒子的制备 总被引:3,自引:1,他引:2
本文采用溶胶-凝胶法以组成为3Al2O3.2SiO2的混合溶胶分别于和压力条件下,对SiC微细粉进行包覆处理,该涂覆层在低于1000℃下经1h热处理可结晶成莫来石层,研究了涂覆溶胶浓度、涂覆压力对涂层厚度、结晶化温度等的影响,涂覆后的SiC微粉在中高温的表面抗氧化性明显提高。 相似文献
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由TiOSO4水解—沉淀制备TiO2薄膜 总被引:19,自引:2,他引:19
通过控制TiOSO4的水解-沉淀反应条件,可控制基片上膜层粒子大小及其附着力,适量尿素加入可加快均匀成速度。根据SEM断面观察与重量法相比较,表征了膜厚。适当反应条件下,反应1h,干燥-煅烧制得的膜0.2μm以上;四次重复反应-煅烧,获得的膜这0.8μm以上。 相似文献
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针对在建筑物发生火灾等险情时,传统疏散路径方案中人员疏散路径固定、疏散时间较长、疏散效果较差等问题,文中结合大型建筑物的疏散背景与条件,同时考虑了人员在疏散过程中心里因素的影响,提出了一种用于描述大型建筑物中疏散路径的数学模型。在该数学模型的基础上,引入了新的收敛条件,并使用新的启发式函数设计了一种改进蚁群算法。通过数学推导,证明了该算法具有良好的收敛性,并在实际中应用良好。对所提出的算法进行了计算机仿真,仿真结果表明,使用该改进蚁群算法生成的疏散路径,在时间和效果上均优于现有的疏散路径设计方案。 相似文献
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溶液雾化微波等离子体CVD法制备SrTiO3薄膜 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了一种新型高效制备多组分陶瓷薄膜的方法,它采用可溶性无机盐溶液雾化为反应膜,利用微波等离子体化学气相沉积工艺在Al2O3基片上制备了SrTiO3基陶瓷薄膜,实验结果表明,薄膜沉积时衬底温度对成膜的相组成与结构产生重要影响,本实验中当沉积薄膜衬底温度在700℃时,可以制备出单一相组成,符合化学计量比,结晶性较好,晶粒度呈球形且均匀分布的SrTiO3薄膜,通过对不同氧分压下薄膜电阻测试,发现此SrTiO3薄膜在O2 N2气氛中氧浓度由1%变化到20%时,其电阻值由5.0MΩ变化到2.5MΩ,从而显示出一定氧敏性能。 相似文献
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本文采用溶胶-凝胶法以组成为3Al2O32SiO2的混合溶胶分别于常压和压力条件下,对SiC微细粉进行包覆处理,该涂覆层在低于1000℃下经1h热处理可结晶成莫来石层,研究了涂覆溶胶浓度、涂覆压力对涂层厚度、结晶化温度等的影响,涂覆后的SiC微粉在中高温的表面抗氧化性明显提高 相似文献
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WO3薄膜材料的气敏性能 总被引:7,自引:0,他引:7
研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明:WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。 相似文献
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移动美术馆是实体美术馆的发展与补充,可以用区别于传统的不同方式在读者面前展示丰富的信息,并产生交互。移动美术馆的交互设计从可用、易用到深层次交互,可以从多种角度进行考虑,从而更好的为读者和用户服务。 相似文献
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无机盐原料溶胶-凝胶工艺合成高纯超细钛酸锶粉料 总被引:12,自引:2,他引:10
采用可溶性无机盐TiCl4,SrCl2.6H2O为原料、溶胶-凝胶工艺(简称ISG工艺),合成了纳米SrTiO3陶瓷粉料.主要研究了粉末的胶晶化过程和络合剂在ISG工艺中的作用,测定了粉末组分和颗粒形态.结果表明,由于柠檬酸等络合作用,溶胶稳定,凝胶组分分布均匀,在SrO-TiO2复合氧化物系统由凝胶向结晶相的转变过程中,无中间相简单氧化物生成;经400~800 ℃,0.5 h的处理,SrO-TiO2复合前驱体可直接由无定形态生成单一的立方SrTiO3相.800 ℃,0.5 h煅烧的SrTiO3粉末颗粒结晶度好,平均粒径小于15 nm,Na,K,Fe杂质总含量小于35×10-6. 相似文献
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贵金属修饰型TiO2 的催化活性及Fermi能级对其光催化性能的影响 总被引:8,自引:0,他引:8
采用自制纳米TiO2粉末,以磷酸铝为粘结剂,制备了负载型TiO2光催化剂。将Ag,Pt或Pd3种金属的盐溶液滴涂在负载TiO2的表面,从而得到修饰型负载光催化剂(M/TiO2)。通过甲基橙溶液降解实验研究了贵金属的掺杂种类和含量对TiO2光催化性能的影响。实验结果表明:适量掺杂Ag,Pt或Pd3种金属粒子均可提高TiO2的光催化活性,且3种金属粒子的最佳掺杂质量分数分别为0.5%,1.0%和1.0%。在最佳掺杂量时,Ag/TiO2[w(Ag)=0.5%]的光催化活性要高于Pt/TiO2[w(Pt)=1.0%]或Pd/TiO2[w(Pd)=1.0%]。另外,通过金属-半导体接触理论阐述了M/TiO2的光催化机理,并通过Ag,Pt,Pd金属的Fermi能级的不同,解释了Ag/TiO2,Pt/TiO2和Pd/TiO23种光催化剂催化性能的差别。 相似文献