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WO3薄膜材料的气敏性能
引用本文:姜淼,侯峰,徐廷献,徐明霞.WO3薄膜材料的气敏性能[J].硅酸盐学报,2004,32(9):1064-1067.
作者姓名:姜淼  侯峰  徐廷献  徐明霞
作者单位:天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072;天津大学,先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072
基金项目:国家基金委重大项目(599955206)和国家自然科学基金(50072014)资助项目.
摘    要:研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明:WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。

关 键 词:氧化钨薄膜    无机盐溶胶-凝胶法  氧气敏感  表面修饰
文章编号:0454-5648(2004)09-1064-04
修稿时间:2003年10月14

GAS SENSING PROPERTIES OF WO3 THIN FILMS
JIANG Miao,HOU Feng,XU Tingxian,XU Mingxia y,Ministry of Education,Tianjin,China.GAS SENSING PROPERTIES OF WO3 THIN FILMS[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2004,32(9):1064-1067.
Authors:JIANG Miao  HOU Feng  XU Tingxian  XU Mingxia y  Ministry of Education  Tianjin  China
Affiliation:JIANG Miao,HOU Feng,XU Tingxian,XU Mingxia y,Ministry of Education,Tianjin300072,China)
Abstract:
Keywords:tungsten oxide thin films  platinum  inorganic-solgel method  oxygen sensitivity  surface modification
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