用α径迹显影法研究铌酸锂晶体中的光折变

铌酸锂晶体中的光折变效应是由于体光生伏特效应所产生的空间电荷场,通过电光效应导致双折射率的变化。我们在光折变区,发现伴随着光折变效应同时有形变以及应力微畴,为此,我们用α径迹显影法对此作了探讨。 1.实验方法 样品垂直X轴向切割,表面研磨抛光,晶片尺寸25×17×0.8mm。用波长为4880A的氩离子激光照射20分钟,使产生光折变,激光机输出功率为300mW。然后将聚碳酸     

LiNbO_3:Fe晶体的光致声发射现象

本文观察到了LiNbO_3:Fe晶体在光致准击穿时的一种声发射现象,产生的低频声波调制了输入晶体的超高频声信号。其频率随入射光强辐照时间增加而增大,其周期与同时测量的光生伏特电流、光致折射率变化以及某一点衍射光强的跃变周期相同。文中对比现象作了,探讨认为它起因于准击穿时跃变空间电荷场的逆压电效应。     

LiNbO_3:Fe中激光损伤所致的微电畴

本文观察到了LiNbO_3:Fe晶体中由光致损伤所致的一种微电畴.它起始于光伤迹线的正P_s边,其指向与P_s相反.用α-径迹显影法显示了Li离子沿负P_s方向的迁移.这种微电畴源于光生伏特效应下,Li~+离子穿越氧三角面的沿P_s轴的定向迁移及产生Li-空位-Nb有序化的局域空间电荷物.     

LiTaO_3单晶的光象及其应用

研究了LiTaO_3单晶的光象及其形成条件,指出,光象的对称性反映了晶体结构的对称性,它与晶轴方向和极性有关。可利用光象来确定晶轴方向和极性,也可根据光象判断晶体是单畴还是多畴。     

高掺镁富锂铌酸锂晶体的倍频及抗光折变性能

测量了新的一系列铌酸锂晶体—高掺镁富锂铌酸锂晶体的倍频和抗光折变性能,研究了其抗光折变的机制.结果表明:该系列晶体较同成分晶体和只掺镁晶体具有更优异的倍频和抗光折变性能,其抗光折变能力增强的宏观机制也是光电导增大.     

掺镁铌酸锂(LiNbO_3:Mg)的抗光损伤增强

LiNbO_3:Mg(4.6mol％或更大)光折变的全息衍射效率η表明:全息光栅形成机制是光致电子的扩散。它的抗光伤增强是由于约大两个数量级的光电导所致。光栅衰减中的电导可以σ=σ_D+σ_1e~(-t/τ)1方程描述。它有重要的瞬态衰减效应,η随温度的变化符合Arrhenius关系,其激活能为0.1eV。     

铌酸锂集成光学基片折射率的测量

在2″精度的测角仪上,用棱镜耦合法,以0.6μm的准直He-Ne激光束(直径1mm)实现了铌酸锂(LN)晶片折射率的高精度测量。实验中使用了差分技术与液晶旋光器,结果表明折射率测量精度达到1×10~(-4),系统重复性误差小于5×10~(-5)。     

掺杂铌酸锂氦氖相位共轭激光器

以掺杂铌酸锂单晶为相位共轭镜,氦氖气体为激活介质构成了外泵浦相位共轭激光器。实现了LiNbO_3在632.8nm波段上相位共轭激光器的连续自振荡。     

一种高效率的光折变晶体——掺杂铌酸锂

本文介绍了一种特殊掺杂的铌酸锂单晶在光折变效应方面的若干实验研究结果。这些结果表明:这种具有易于获得大尺寸单晶等特点的材料是一种高效率的光折变晶体。     

LN：Fe晶体的双物光束位相共轭

本文采用一种新的双物光束光路来产生位相共轭波。理论和实验表明这种光路不仅可以使位相共轭皮与物光束的关系在线性区域内其斜率得到提高,而且可以有效地提高位相共轭波前反射率。