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以姑铌酸锂单晶为相位共轭镜,氦氖气体为激活介质构成了外泵浦相位共轭激光器,实现了LiNbO3在632.8nm波段上相位共轭激光器的连续自振荡。 相似文献
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文章研究了掺铁铌酸锂晶体在激光辐射下的电荷输运迁移 ,探讨了光折变过程中光生载流子的漂移、扩散、光致电压以及空间电荷场的动态过程。提出了其光致折射率变化的机制主要是由光生伏特效应决定。并且通过晶体准击穿时的光折变和衍射光强随时间的变化关系 ,从实验上进一步说明了掺铁铌酸锂晶体的光折变形成机制。 相似文献
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给出了一种光生伏特场E_ph(?)10~4V/cm,耦合系数(?)(?)25cm~-1,光折变响应时间τ为100ms的强还原试样,其光折变衍射效率η随温度变化,激活能为0.48±0.01eV.它的光电导、暗电导的激活能分别为0.48±0.02eV和0.8±O.02eV.这些结果与同成分纯铌酸锂晶体的不同. 相似文献
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利用掺杂铌酸锂作相位共轭镜的全光学联想记忆系统 总被引:1,自引:0,他引:1
最近,一种用光学方法模拟神经网络的最新研究成果将全息和相位共轭技术结合起来,完成了一种所谓全光学联想记忆系统。光源是氩离子激光器,记忆元件——全息图的记录材料是热塑片,具有反馈、取域和增益功能的非线性元件——相位共轭镜(PCM)由BaTiO_3晶体构成。 本工作是在[2]装置的基础上,选用掺杂LiNbO_3晶体作为相位共轭镜而实现了全光学联想记忆系统。在我们的系统中,利用He-Ne激光器作为照明光源,使用掺杂LiNbO_3晶体来做PCM实现联想记忆。图1是全光学联想记忆系统的示意图。 相似文献