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本文论述了发展 I~2L 多值逻辑电路的意义;分析了 I~2L 多值逻辑电路的基本单元:I~2L 阈值检测器,折叠收集极 I~2L 单元;介绍了 I~2L 多值逻辑电路的基本函数及其电路:补函数,后继函数,文字函数,最大函数,最小函数;并对 I~2L 四值逻辑电路作了较详细的介绍:四值全加器、四值多路调制器、四值数字转换器、四值乘法器、四值 ROM 等。 相似文献
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根据线性弹性理论集中力的假定,计算了矩形膜淀积在InSb衬底上的三维应力分布;讨论了钝化膜对InSb衬底应力的影响,提出了提高InSb平面二极管可靠性的措施。 相似文献
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用BF_2~+分子离子注入n型硅,由于B的有效注入能量减少,可以得到B的浅注入分布,B分布的沟道效应也明显降低。BF_2~+注入硅能形成非晶层,在低温(550℃)退火时,注入层以固相外延形式再结晶,B原子的激活率可高达85%。次级离子质谱(SIMS)测量表明,退火期间,F的迁移行为与注入靶温、注入剂量和退火温度有密切的关系。再结晶过程中F的外扩散以及残留缺陷对F的捕获,是引起F不规则迁移的主要原因。快速退火的应用,使B的再分布减少,注入损伤消除,同时可获得较低的方块电阻值。BF_2~+注入结合快速退火制作的P~+N二极管具有低的反向漏电流(~1fA/μm~2—10V)和较高的反向击穿电压。 相似文献
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BF2^+注入多晶硅栅的SIMS分析 总被引:1,自引:0,他引:1
文本采用SIMS技术,分析了BF2^+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性,结果表明,80keV,2×10^15和5×10^15cm^-2BF2^+注入多晶硅栅经过900℃,min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中,F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。 相似文献
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折叠收集极 I~2L 由于它的反向电流增益是可以控制的,因而它成了 I~2L 多值逻辑电路的一种基本单元。本文着重分析了折叠收集极 I~2L 的工作原理和它对反向电流增益的控制特性。采用四块掩膜的单最工艺,对不同面积比的单输出和多输出的折叠收集极 I~2L 进行了研究,并对实验结果进行了初步的分析。 相似文献
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对HBr反应离子刻蚀硅和SiO2进行了实验研究。介绍了HBr等离子体的刻蚀特性,讨论了HBr反应离子刻蚀硅的刻蚀机理,研究了HBr中微量氧、碳对HBrRIE刻蚀过程的影响。实验表明,HBr是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用HBrRIE,可获得高选择比(对Si/SiO2)和良好的各向异性。 相似文献