火焰原子吸收光谱法测定精铟中铅

试样用盐酸溶解，在稀盐酸介质中，利用氘灯扣背景消除铅的背景干扰。使用空气-乙炔火焰，于原子吸收光谱仪波长283.3nm处测定铅。铅测定范围0.00l-00025％。     

HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性

报道了用 MBE方法生长掺 In N型 Hg Cd Te材料的研究结果。发现 In作为 N型施主在 Hg Cd Te中的电学激活率接近 1 0 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6me V。确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在约 3× 1 0 1 5cm- 3水平。比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0°C温度下 In的扩散系数约为 1 0 - 1 4cm2 / sec,确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 N型掺杂剂的可用性和有效性     

45Ag-30Cu-25Zn合金丝制造工艺的探讨

熔炼时通过控制锌的加入方式、熔化功率、精炼时间、以及锌的挥发量,在选用多种开坯工艺比较了合金丝材的成品率、拉拔过程中选择合理的变形量及中间退火次数后,成功的生产出表面质量好,成品率80%以上的45Ag-30Cu-25Zn 合金丝材。     

多芯片机械电子功率封装用的倒装芯片焊接

为满足汽车市场的下一代系统要求，需要新的封装技术。半导体元器件的系统功能性的增强和对减少总成本的需要促成了多芯片封装的解决方案。使用半导体器件开关、控制和监测大电流负载将把逻辑和功率器件集成到一块共用基板上，要求这个基板具有功率耗散和载流能力，带有控制器件和互连所用的细线导体。为了实现这些目标，摩托罗拉公司的先进互连系统实验室(慕尼黑)研究出了一种新的封装概念，一种采用倒装芯片焊接技术和电镀共晶SnPb焊料凸点的多芯片机械电子功率封装。为了提供一个能覆盖系统结构中不同功率等级的先进封装乎台，评价了几种基板技术。     

对Cu焊区的倒装芯片凸点下金属化系统的研究

本文研究了采用化学镀铜（E-Cu）和化学镀镍（E-Ni)方法制作的Cu焊区上倒装芯片焊料凸点用的UBM材料系统，还研究了UBM与Sn-36Pb-2Ag焊料之间的界面反应对焊料凸点连接可靠性的影响，以优化Cu焊区上倒装芯片用的UBM材料。对于E-CuUBM来说，在焊料/E-Cu界面上形成贝壳状的Cu6Sn5金属互化物（IMC），在较小的载荷下沿这个界面发生凸点断裂。与此相反，在E-Nie-Cu UBM的情况下，E-Ni成为一个好的扩散阻挡层。E-Ni有效地限制了IMC在该界面上的生长，而多边形形状的Ni3Sn4IMC产生比E-CuUBM高的附着强度。因此，化学镀沉积的UBM系统被成功地证明可作为低成本的Cu焊区上UBM方法。发现E-NiE-CuUBM材料是比E-Cu UBM更好的Cu焊区上倒装芯片焊料互连的材料。     

In及In—1%Cu熔体团簇的“热收缩”现象

利用液态金属X射线衍射仪对纯In熔体及In-1%Cu熔体分别在280℃、390℃、550℃、650℃、750℃进行了实验研究，获得了二者的衍射强度、结构因子、双体分布函数、径向分布函数以及平均最近邻原子间距、原子配位数。结果表明，随温度由280℃升高到750℃，两种熔体的平均最近邻原子间距r1和原子配位数Ns都呈现出减小的趋势，原子团簇都出现“热收缩”现象，加1％Cu后的熔体团簇热收缩程度较之纯In熔体大。在整个测试温度区间内两种熔体的热收缩都不是均匀的，而是在某个温度区间发生突变，收缩明显，纯In熔体的突变区间为390℃-550℃，In-1%Cu熔体的突变区间为280℃－390℃，加1％Cu后突变区间向低温转移。     

高性能In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器的研制

报道了采用GSMBE方法研制的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器，器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺，减小了暗电流，提高了器件性能。在反向偏压为5V时器件的暗电流为640pA，反向偏压为10V时测得器件的上升时间为37.2ps，下降时间为30.45ps，半高宽为43.9ps。对影响探测器暗电流的因素和提高响应速度的途径进行了讨论。