应用于开关电源的CMOS电流控制振荡器

提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器。该电路利用系统内部参考电压和外接电阻产生的电流信号对电容进行充放电,通过调节外接电阻大小,振荡器输出频率在660 kHz～4.15 MHz内可调。     

分布电容对施密特触发器与RC微分电路构成的多谐振荡电路的影响

由多谐振荡器构成的交流电路在传输信号时,微小的电容量变化,可能会严重影响电路工作.描述了实验室废液收集器检测电路误报警的故障现象.依据检测装置的结构和工作原理,结合实验数据和仿真结果,分析并得出导致故障产生的原因为不同连接状态分布电容的差异,并给出分布电容的构成.针对如何弱化分布电容的影响,给出了解决措施.实测结果表明,对电缆屏蔽皮接电源地可以消除241pF分布电容.     

基于FPGA的神经振荡器设计及优化

为神经振荡器提出了一种高效的FPGA实现方案,介绍了一种改进的分布式算法(DA),以便于最大限度地利用FPGA上的查找表(LUT)资源.整个系统在Matlab/Simulink下采用Altera公司的DSP Builder构建.该方法节约了74％的查找表、75％的寄存器和100％的嵌入式乘法器资源.同时,该方案得到了令...     

一种CMOS电流饥饿型环形压控振荡器

设计了一种基于CSMC的0.5μm工艺的电流饥饿型环形压控振荡器。仿真工具采用Cadence Spectre,仿真结果表明,振荡器相位噪声达到了-105.432dBc/Hz@1MHz。     

多谐振荡器的电路实验

为了弄懂单元电路和元器件的工作原理,我们时常要做一些小实验,一方面利用实验结果来印证自己的看法,另一方面还可以在实验中纠正自己的错误认识,并能学到更多的知识。下面是我的一次实验经过。实验的起因源于我对一基本型多谐振荡器的研究,见图1。VT1和R1、R3组成第一个放大器,VT2和R2、R4组成第二个放大器,两个放大器通过C1和C2进行正反馈式的联接,于是形成振荡。在振荡过程中,VT1和VT2     

IDT推出全球首款针对高性能应用的压电MEMS振荡器

<正>近日,拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商IDT公司(Inte-grated Device Technology,Inc.;NASDAQ:IDTI)宣布推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的     

一种频率稳定的低功耗振荡器电路设计

设计了一种频率稳定的低功耗张弛振荡器电路。采用恒流源对电容两端同时充电和放电,然后将电容两端电压送入后级比较器进行判决,使得输出频率只与恒流源电流、电容以及比较器比较窗口相关。该电路采用GSMC 0.18μm CMOS工艺,在5 V电源电压以及室温条件下仿真,输出频率为123.6 kHz,平均电流消耗为2.67μA;在2 V～5.5 V电源电压和-40℃-+85℃的温度变化范围内,输出频率精度在-6.5%-1.3%范围内。     

具有高线性调谐特性的1.2 GHz CMOS频率综合器

基于0.18 μm RF CMOS工艺实现了一个1.2 GHz高线性低噪声正交输出频率综合器,该综合器集成了一种高线性低调谐灵敏度的低噪声LC压控振荡器;降低了系统对锁相环中其他模块的要求;基于源极耦合逻辑实现了具有低开关噪声特性的正交输出高速二分频,采用"与非"触发器结构实现了高速双模预分频,并集成了数控鉴频鉴相器和全差分电荷泵,获得了良好的频率综合器环路性能。对于1.21 GHz的本振信号,在100 kHz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-99.1 dBc/Hz和-123.48 dBc/Hz。该频率综合器具有从1.13~1.33 GHz的输出频率范围。工作电压1.8 V时,芯片整体功耗20.4 mW,芯片面积(1.5×1.25) mm2。     

声表面波气体传感器振荡电路设计

基于反馈振荡器的工作原理,采用对振荡电路的开环增益和相位进行检测和调节的方法,设计制作了用于声表面波(SAW)气体传感器的振荡电路。根据开环测量的结果,通过改变匹配电感值来使得0°相位在增益峰值附近,以获得稳定的振荡和提高振荡器可承受的最大传感器插损。在印制电路板(PCB)版图设计中,采用50Ω特性阻抗和保证最短RF回流电流路径等措施以实现稳定的振荡。基于上述方法,分别制作了频率为315,433.92 MHz的振荡电路。后者的噪声幅度在20 Hz以内,标准方差约为3.92。该实验结果表明:此设计方法具有快速、便捷、可靠的优点,设计的振荡电路具有较高的稳定性,可广泛用于SAW传感器设计。     

高频接近开关检测原理与设计

研究了电感式接近开关工作电路的原理,其电路可分为振荡电路、检波电路和输出电路三部分,对这三部分电路分别进行了研究以及详细说明。