太阳能级多晶硅切割废料浆的综合回收

太阳能级多晶硅切割废料浆主要含高纯硅约30%(质量分数,下同)、碳化硅约35%、聚乙二醇和水约28%和很少量的铁氧化物。综述了国内切割废料的回收情况。在多晶硅的切割过程中,约50%的多晶硅被切磨成高纯硅粉进入到切割废料中而损失。与碳化硅和聚乙二醇相比,切割废料中的高纯硅最有回收价值。我国太阳能级多晶硅绝大多数需要进口,因此如能将切割废料中的高纯硅提取出来,进而用于制备太阳能级多晶硅,不但能实现资源的回收利用,而且可以减少多晶硅的进口,因此重点介绍了当前国外从切割废料中回收高纯硅的研究进展。     

金属镍诱导p型多晶硅薄膜的光电性能研究

利用电子束蒸镀方法及重掺杂p型硅为蒸发源在K8玻璃衬底上沉积非晶硅薄膜,采用镍诱导晶化法在氮气氛围下进行退火处理制备出p型多晶硅薄膜.研究了不同温度热处理条件对p型多晶硅薄膜的光电性能的影响,通过霍尔测量、拉曼光谱、原子力显微镜、紫外-可见光吸收光谱等测试手段对薄膜进行分析.结果表明,随着晶化温度的提高晶化程度先增强后...     

电子材料行业“十二五”规划发展建议

电子材料是用于半导体、集成电路、光电子器件和新型元器件制造的材料,是发展信息产业、新能源产业的基础和先导。"十一五"时期,在党中央坚定不移地走中国特色新型工业化道路,应对国际金融危机、加强自主创新、实施节能减排、调结构、扩内需、保增长等一系列方针政策指引下,电子材料行业的发展取得了长足的进步。一"、十一五"期间电子材料行业主要情况回顾     

我国多晶硅产业现状及发展趋势简述

硅(Si)是最重要的半导体材料,它在自然界中含量丰富,仅次于氧而排第二。单质硅有结晶型和无定形2种,结晶型硅是一种有灰色金属光泽的晶体,与金刚石有类似的晶格。晶体硅通常分为单晶硅和多晶硅。多晶硅是单质硅的一种形态,其晶粒在生成过程中晶面取向不同,这些晶粒结合起来,就形成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。多晶硅在拉直单晶时,纯度变化不大。     

多晶硅质量影响因素分析

多晶硅质量受多方面因素的影响,本文结合生产实际,分别从生产原料三氯氢硅、氢气、混合气配比、反应温度、设备洁净条件等方面进行了分析．通过提高原料纯度,控制反应配比5：1和温度1080—1100℃,逐步提高多晶质量。     

MOSFET栅氧泄漏隧穿电流的分析模型:量子力学研究(英文)

研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用清晰的表面势方程改进模型的准确性。在研究模型中考虑了Si衬底中反型层的量子化和多晶硅栅耗尽,还研究了多晶硅掺杂对栅氧化层隧穿电流的影响。仿真结果表明,栅氧化层隧穿电流随多晶硅栅掺杂浓度的增加而增加。该结论与已报道的结果相吻合,从而证明了该模型的正确性。     

AM-OLED的像素电路集锦（二）

用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压（Vth）和沟道迁移率（μ）在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性。为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求（文章分为两期刊登,本篇为第二部分）。     

AM-OLED的像素电路集锦(一)

用于AM-OLED的LTPS TFTs的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(μ)在空间分布上是不够均匀的,用于AM-OLED的a-Si TFTs的Vth和μ会随时间偏移,这些缺点会造成显示屏亮度的不均匀性和不稳定性.为此,需要引入各种像素补偿电路,使显示屏发光亮度的均匀性和稳定性符合商品要求(文章分为两期刊登,本篇为第一部...     

国内多晶硅价格或维持现状

国内多晶硅价格高位震荡2011年初,国内多晶硅价格延续2010年高位,价格在68-76万元之间震荡。1-2月份,由于国内多晶硅大厂纷纷进入例行检修期,现货供应十分紧张,市场上一度有价无货,春节前后,多晶硅价     

低能耗低成本优势显现冶金法多晶硅谋突围

在多晶硅的生产工艺中,冶金法正在试图用自己的低耗能和低成本撼动改良西门子法“行业大佬”的地位。“随着技术的不断进步和成熟,冶金法逐步替代改良西门子法成为光伏发电主要原料的日子,已经为时不远。”在“2010冶金法太阳能多晶硅制备技术国际研讨会”上,与会的各国内外企业人士放言,五年后,冶金法制备多晶硅（以下简称“冶金法”）将占据光伏用硅的一半江山。