冷坩埚定向凝固太阳能级多晶硅的缺陷控制及组织特征

利用电磁冷坩埚连续熔化和定向凝固太阳能级多晶硅,将电磁铸造与定向凝固的优点相结合,用下抽拉法将其铸成硅棒。在试验过程中出现不熔、原料烧结、熔池熄灭、不完全熔化、熔体飞溅和硅锭断裂等现象,这些现象与熔铸过程密切相关,大多缺陷通过调整工艺和参数可以消除。通过合适的工艺参数配合,可获得表面有起伏,但无裂纹且组织定向的多晶硅锭。     

定向凝固技术的发展及其在制备太阳能级硅材料中的应用

讲述了定向凝固技术的发展历程,简要介绍了各种定向凝固技术的原理和特点并对其进行了评述。从定向凝固技束的演化过程看,是温度梯度不断提高．冷却速度不断加快的过程。介绍了定向凝固技束在制备太阳能级硅材料中的应用,并对其存在问题及发展趋势进行了讨论。     

洛阳：打造中西部最大新材料产业基地

多晶硅、钼钨钛、耐火材料、铝镁板带、电子铜、电子玻璃……这些洛阳的优势产品,有一个共同的名字：新材料。     

实现多晶硅薄膜等离子氢化的新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法,在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。     

多晶硅TFT及其在AMLCD中的应用

多晶硅薄膜晶体管目前是大面积微电子学领域中最热门的研究课题之一,它以其独特的优点,在液晶显示领域中失常着重要角色,简要介绍了多晶硅薄膜晶体管的结构、器件特性以及在有源矩阵液晶显示器中的应用。     

掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55—+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.     

多晶硅热执行器阵列的宏模型

建立了多晶硅热执行器阵列的宏模型.利用热传导原理分析了执行器的电热特性,根据结构力学原理给出了执行器阵列的偏转及驱动力.用多晶硅表面微机械加工技术制备了阵列并进行了测试.执行器偏转的测量与实验吻合较好.该宏模型可以用于分析、优化和设计热执行器阵列.     

多晶硅薄膜的新型激光晶体制备方法

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜,其晶粒尺寸为１．１μｍ,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大,表明该方法法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明０．３０Ｊ／ｃｍ＾２晶化的薄膜结晶程度已很高。     

多晶硅薄膜的新型激光晶化制备方法

采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高     

多晶硅薄膜的等离子氢化新工艺

根据多晶硅薄膜氢化的微观机理,提出改进氢化效果的工艺方法。在不增加设备投资的情况下,采用该方法能够明显提高多晶硅薄膜的氢化效果,从而提高薄膜晶体管的性能,ＩＯＮ／ＩＯＦＦ从１０＾３量级增加到１０＾５量级,氢化工艺的处理时间也相应缩短。