全文获取类型
收费全文 | 121140篇 |
免费 | 5363篇 |
国内免费 | 2703篇 |
学科分类
工业技术 | 129206篇 |
出版年
2024年 | 163篇 |
2023年 | 683篇 |
2022年 | 1487篇 |
2021年 | 1990篇 |
2020年 | 1556篇 |
2019年 | 1141篇 |
2018年 | 15668篇 |
2017年 | 14772篇 |
2016年 | 11287篇 |
2015年 | 2764篇 |
2014年 | 2824篇 |
2013年 | 2983篇 |
2012年 | 6333篇 |
2011年 | 12657篇 |
2010年 | 11136篇 |
2009年 | 8058篇 |
2008年 | 9138篇 |
2007年 | 9933篇 |
2006年 | 2127篇 |
2005年 | 2826篇 |
2004年 | 2315篇 |
2003年 | 1963篇 |
2002年 | 1242篇 |
2001年 | 670篇 |
2000年 | 684篇 |
1999年 | 470篇 |
1998年 | 347篇 |
1997年 | 270篇 |
1996年 | 259篇 |
1995年 | 181篇 |
1994年 | 147篇 |
1993年 | 112篇 |
1992年 | 108篇 |
1991年 | 82篇 |
1990年 | 51篇 |
1989年 | 57篇 |
1988年 | 39篇 |
1969年 | 24篇 |
1968年 | 43篇 |
1967年 | 33篇 |
1966年 | 43篇 |
1965年 | 45篇 |
1963年 | 28篇 |
1960年 | 30篇 |
1959年 | 39篇 |
1958年 | 37篇 |
1957年 | 36篇 |
1956年 | 34篇 |
1955年 | 63篇 |
1954年 | 68篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 260 毫秒
81.
ZhaoYahong ZhangZhongpei WuWeiling 《电子科学学刊(英文版)》2003,20(3):177-182
Adaptive modulation and power allocation is introduced into the multicarrier DSCDMA system to improve the system performance and bandwidth efficiency.First,the system design appropriate for adaptive modulation and power allocation is given,then the algorithm of adaptive modulation and power allocation is applied.Simulation results demonstrate great performance improvement compared with the fixed modulated one. 相似文献
82.
As an aid towards improving the treatment of exchange and correlation effects in electronic structure calculations, it is
desirable to have a clear picture of the errors introduced by currently popular approximate exchange-correlation functionals.
We have performed ab initio density functional theory and density functional perturbation theory calculations to investigate
the thermal properties of bulk Cu, using both the local density approximation (LDA) and the generalized gradient approximation
(GGA). Thermal effects are treated within the quasiharmonic approximation. We find that the LDA and GGA errors for anharmonic
quantities are an order of magnitude smaller than for harmonic quantities; we argue that this might be a general feature.
We also obtain much closer agreement with experiment than earlier, more approximate calculations. 相似文献
83.
84.
Effect of doping of carbon nanotubes by magnetic transition metal atoms has been considered in this paper. In the case of
semiconducting tubes, it was found that the system has zero magnetization, whereas in metallic tubes the valence electrons
of the tube screen the magnetization of the dopants: the coupling to the tube is usually antiferromagnetic (except for Cr). 相似文献
85.
86.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
87.
高速贴片机优化软件的设计与开发 总被引:9,自引:4,他引:5
SMT生产线要达到最大的产量,必须要考虑生产线的效率。贴片机是SMT生产线中的关键设备,因此提高贴片机的生产效率具有十分重要的意义。本文以松下贴片机为例,介绍了贴片机程序优化软件的设计与开发中的思想、方法和经验,希望对从事CAM软件研究的工程人员有一定帮助。 相似文献
88.
本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。 相似文献
89.
甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景 总被引:5,自引:0,他引:5
综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展,特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式;还根据甲烷芳构化技术产业化的需要,分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。 相似文献
90.
Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献