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991.
文章旨在介绍适应于长波红外焦平面阵列技术发展的红外探测器,由于篇幅的关系,本文着重评述InAsSb应变层超晶格红外探测器和GaAs/GaAlAs多量子阱红外探测器的特点、器件结构、主要制作工艺,性能参数,以及急需要解决的一些问题。 相似文献
992.
993.
提出了用激光衍射功率谱方法测量柱形颗粒群直径分布的技术方法,解决了长颗粒随机排列时的功率谱探测,及数据快速优化方法等技术难题。此技术已地应用于由羊毛和化纤截成的柱形颗粒群直径分布的测量,实现结果证明了此技术的可行性和实用性。 相似文献
994.
Microorganisms capable of degrading di-n-butyl phthalate (DBP) were isolated. The characteristics of DBP biodegradation by immobilized and free cells were investigated. The experimental results showed that the rate of DBP degradation of immobilized cells was higher than that of free cells. 相似文献
995.
Chun Hu Ji Zhao Li G.P. Liu P. Worley E. White J. Kjar R. 《Electron Device Letters, IEEE》1995,16(2):61-63
The effects of the plasma etching process induced gate oxide damages on device's low frequency noise behavior are investigated on MOSFET's fabricated with different field plate perimeter to gate area ratio antennas. Abnormal 1/f noise spectrum with a shoulder centered in the frequency range of 100 and to 1 kHz was frequently observed in small geometry devices, and it is attributable to a nonuniform distribution of oxide traps induced by plasma etching process 相似文献
996.
997.
998.
以行波半导体光放大器速度方程为基础,采用传输矩阵方法,对锥形结构半导体光放大器的增益和饱和特性进行理论研究。讨论了不同锥形长度,不同结构时的增益和饱和特性差异。理论研究表明,锥形结构能改善半导体光放大器的偏振灵敏度。在同一锥度下,长锥形长度能提高饱和增益,降低偏振度。在进行半导体光放大器有源条结构设计时要综合考虑锥度及锥形长度的影响,以实现结构优化 。 相似文献
999.
氧化锌压敏陶瓷烧结致密化过程的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
本文研究了氧化锌压敏陶瓷的致密化过程,结果发现只有当烧结温度升高到一定值时,试样中的ZnO粉粒产生聚集,致密化过程才开始.致密化是瓷体获得稳定电性能的基础.低熔点添加剂B2O3可以降低致密化的起始温度,而致密化过程中的等温烧结对ZnO压敏陶瓷的最大密度几乎没有影响. 相似文献
1000.
自调Q掺饵光纤激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
研制出一种结构新颖的掺饵光纤激光器,该激光器利用线性光纤环形镜和半导体激光器芯片的背向反射镜组成谐振腔。采用半导体激光器芯片作为饱和吸收体,在9mW的泵浦功率下,该激光器实现了自调Q脉冲输出。输出光脉冲宽度为12μs,脉冲峰值功率约为22mW,脉冲序列的重复周期约为65μs。 相似文献