组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征

采用阶跃式GeH4流量增加和温度降低的方法,在超高真空化学气相淀积系统中生长了线性渐变组份的SiGe缓冲层,并在其上生长出了驰豫的Si0.68Ge0.32外延层.俄歇电子能谱证实缓冲层Ge组份呈线性渐变.Raman散射谱得出上表层应变驰豫度为32%,与X射线双晶衍射结果符合得很好.腐蚀的样品观察到沿两个〈110〉方向规律性分布、大小和螺旋走向完全一致的位错团密度约为5×107/cm2.分析了位错团产生的原因.     

方圆集团SXS-300型高效水洗筛

正方圆SXS-300型高效水洗筛是用于建筑施工的双层分离筛。该水洗筛筛面尺寸为3 600mm×1 500 mm,振动频率为1 500 r/min。整机稳定性好,受力均匀平衡,工作性可靠,结构简单,便于维修,故障率低、能耗低、筛分清洗效率高,可配套使用于HZS120D型及以下型号搅拌站,也可使用于沥青搅拌站等其他设备。该水洗筛利用偏心轴及偏心块的旋转所产生的激振力,带动振动箱体内的振动筛面上的物料,使之呈滚跳悬浮的活性状态,通过在筛体内     

硫酸铵除油装置在自动化控制中的重难点

这是一种新型的吸油材料,不但具有吸附率高、流失率低的特点,还摒弃了难以再生的缺陷,通过高浓度乙醇的解吸,可达到重复利用的效果。本文着重介绍硫酸铵料液深度除油工艺的流程,以及融入这种吸油材料的除油装置在自动化控制中的重难点,并且对装置的优化改进提出了建设性意见。     

基于状态转换优化策略的多属性对象绘制方法

复杂场景的高效绘制是计算机图形学研究中的一个重要内容,目前的研究大多集中在对场景组织及可见性裁剪等降低场景几何复杂度的加速方法上,而针对场景中对象的多属性管理及绘制优化方法的研究较少.由于复杂场景中的对象除了基本几何信息外还包括光照、材质、纹理等多种绘制属性,这些属性的频繁切换将对绘制效率产生极大的影响,进而降低绘制的实时性.为此,提出一种基于状态转换优化策略的多属性对象绘制方法,通过定义绘制状态对场景中对象的属性进行管理,并将绘制状态的转换关系表示为带权有向图,进而利用最优化算法找到绘制状态转换的优化序列.实验结果表明,对于具有多属性对象的复杂场景,该方法能够有效地降低状态转换的开销,提高场景的实时绘制效率.     

基于GPU的光源空间平行分割阴影图算法

针对平行分割阴影图算法中当光线方向与视线方向不垂直时,场景中对象被冗余渲染到多层阴影图中的问题,提出一种基于GPU的光源空间平行分割阴影图算法.在光源空间中,利用光源视锥体将场景划分为不相交的多层区域,利用GPU为各层生成阴影图,以确保场景采样点不在多层阴影图中重复出现;同时给出了一种快速综合场景阴影效果的绘制方法,通过避免判断像素层次的操作提高了GPU的利用率.实验结果表明,文中算法解决了平行分割阴影图算法的冗余渲染问题,提高了渲染效率和场景阴影质量.     

基于联盟链的物联网跨域认证

针对物联网场景下跨信任域的信息交换需求,结合区块链与边缘计算思想,构建了一种适应于物联网认证的架构.首先,基于联盟链技术设计了适应于物联网跨域认证的架构及流程,构建了安全的跨域信息交互环境;随后引入边缘网关,以屏蔽物联网的底层异构性,并设计了基于网关的跨域认证流程,增强了物联网认证中的隐私保护;最后,针对设计协议的安全性进行了分析,证明其可抵抗物联网场景下的常见攻击.实验结果表明,该设计方案在计算和通信开销上优于传统方案,可用于物联网.     

求解可满足性问题的信息传播算法研究综述

信息传播算法来自统计物理,被广泛应用于人工智能各个领域,特别是求解组合优化问题时,具有良好的有效性。通过对信息传播算法的相关文献进行分析,综述了信息传播算法以及其相关应用的发展史,根据信息传播算法的发展,介绍了求解可满足性问题的信息传播算法相关概念,主要涉及到警示传播算法、置信传播算法和调查传播算法,描述了三种算法发展中出现的收敛性、有效性研究,分别综述了各个算法在相关领域的应用情况,并总结了信息传播算法的研究路径和应用方向。     

Si1—x—yGexCy材料的外延生长方法

本文分析了Si1 -x- yGexCy 半导体材料外延生长的困难所在 ,总结了用于生长Si1 -x- yGexCy材料的各种生长方法 ,并分析比较了各自的特点。     

弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱

采用UHV/CVD系统,在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的弛豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5个周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱.在渐变Si1-xGex缓冲层生长过程中引入原位退火,消除了残余应力,抑制了后续生长的SiGe中的位错成核.透射电子显微照片显示,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内,而SiGe上层和SiGe/Si量子阱是无位错的.在样品的PL谱中,观察到跃迁能量为0.961eV的Ⅱ型量子阱的无声子参与(NP)发光峰.由于Ⅱ型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯曲严重.NP峰随激发功率增加向高能方向移动,在一定激发条件下,电子跃迁或隧穿至弛豫SiGe层弯曲的导带底后与处于同一位置的空穴复合发光,所以NP峰积分强度随光激发功率先增加后减小.     

GexSi1-x材料生长的改善

利用超高真空化学相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统在６５０℃生长出表面光亮的ＧｅＳｉ单晶。在１２００Ｌ／ｍｉｎ分子泵与前级机械泵间串接４５０Ｌ／ｍｉｎ分子泵,改善了生长环境。串接分子泵后生长的样品的Ｘ射线双晶衍射分析表明,外延层衍射峰半宽仅为１９８ａｒｃｓｅｃ,且出现了Ｐｅｎｄｅｌｌｏｓｕｎｇ干涉条纹,说明外延层结晶质量很好。