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991.
针对低渗透储层压裂增产改造的需要,开发应用了一种新型羧甲基瓜尔胶压裂液.利用红外光谱、滴定和黏度等实验法表征了羧甲基瓜尔胶的结构、羧甲基的取代度和相对分子质量,研究了羧甲基瓜尔胶的水溶性以及羧甲基瓜尔胶压裂液的件能,并和羟丙基瓜尔胶压裂液进行了对比分析.实验结果表明:羧甲基基团的引入导致瓜尔胶高分子链构象更加伸展,因此... 相似文献
992.
993.
994.
995.
996.
研究和计算表明,贮氢材料吸氘后可能引发D-D冷聚变。指出,可能存在两种D-D冷聚变机制;(1)裂裂加速机制,估计其聚变截面在(0.04 ̄30)mb范围;(2)库仑屏蔽下的碰撞机制,估计其聚变率在(10^-15 ̄10^-4)/(cm^3·s)范围。 相似文献
997.
998.
Cu(In,Ga)Se2集成电池吸收层的三步共蒸工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜。通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In_(0.7)Ga_(0.3))_2Se_3生长温度下CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜的结构特性。预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm~2)。其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn_(0.7)Ga_(0.3)Se_2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性。 相似文献
999.
1000.