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通过数值模拟手段,用归一化的方法研究了界面陷阱、硅膜厚度和沟道掺杂浓度对R-G电流大小的影响规律.结果表明:无论在FD还是在PD SOI MOS器件中,界面陷阱密度是决定R-G电流峰值的主要因素,硅膜厚度和沟道掺杂浓度的影响却因器件的类型而异.为了精确地用R-G电流峰值确定界面陷阱的大小,器件参数的影响也必须包括在模型之中. 相似文献
102.
研究了航空发动机叶片用DD6单晶高温合金980℃高温氧化行为及机制。采用体视显微镜、光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)表征了表面氧化皮的形貌和截面微观组织特征,采用能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)分别分析了氧化物的成分和物相结构,采用显微硬度计测量了高温氧化样品截面表层金属显微硬度。研究结果表明:长时间氧化后,氧化皮主要由Al2O3和复合金属氧化物构成;长时间氧化后氧化皮与基体结合较差且局部发生剥离,表面氧化行为由均匀氧化逐渐转变为局部快速氧化;进入局部快速氧化阶段,表层金属中的铝与环境中的氧和氮反应,导致表层贫铝而形成无γ’相区,最终导致表层金属力学性能的损失,最表层金属的显微硬度较基体下降约30%。 相似文献