凯氏定氮法测定鱼蛋白质含量的干扰因素分析

为了使凯氏定氮法更适于鱼蛋白质含量测定,针对鱼肉中非氨基酸态氮和鱼类氮换算蛋白质的系数进行分析,并探讨凯氏定氮法测定鱼蛋白质的可行的改进措施。     

松软厚煤层沿空掘巷窄煤柱护巷合理宽度确定

以某矿S39工作面为研究背景,首先基于极限平衡理论确定某矿松软厚煤层沿空掘巷窄煤柱护巷的合理尺寸在7.374~8.603 m,随后确定煤柱宽度为5、7、9 m这3个方案,基于FLAC3D数值模拟软件分析窄煤柱在不同宽度下的应力与变形的关系并综合考虑3个"有利于"原则,最终确定沿空掘巷窄煤柱的合理宽度为7 m。     

基于数字调谐方法的微悬臂梁品质因数的研究

品质因数（Q值）是影响微悬臂梁设备灵敏度的关键因素．针对微悬臂梁在空气中品质因数低的问题,利用基于DSP的数字锁相技术,通过一种正反馈方法,对微悬臂梁的振动能量损耗进行补偿,将微悬臂梁的品质因数从181提高至871．实验表明,使用数字正反馈电路后,微悬臂梁振幅随其工作频率的变化表现出了更高的灵敏度,从而能有效提高微悬臂梁用于微小形变检测时的检测灵敏度．     

复采区顶板断裂数值模拟研究

针对圣华煤业3~#煤旧采区存在遗留空巷和煤柱特点,对其回采过程中顶板初次断裂和周期断裂边界条件进行了探讨,并根据薄板理论,把顶板依据不同边界条件形式对顶板断裂过程进行了数值模拟。分析出了顶板在承受上部载荷以及采空区煤柱支撑作用下薄板断裂的特征,以及在顶板初次垮落和周期垮落过程中的裂纹发展规律,对后期工作面顶板支护提供了相应的理论基础。     

孤岛工作面过上覆采空区采场及顶板应力演化规律研究

基于孤岛工作面过上覆采空区采场及顶板应力演化规律，得出孤岛工作面过上覆采空区过程中顶板的重点管控区域，并以榆家梁煤矿52209综采工作面为工程背景，采用弹性薄板理论和GDEM数值模拟软件对其覆岩受力状态进行分析，结果表明：孤岛工作面过上覆采空区时，煤体受力呈现非对称分布，上覆采空区影响范围可分为应力影响区、冒落卸压区和压实稳定区。最终得出，工作面进入冒落卸压区和压实稳定区过程中，压力显现不强烈，与正常回采区域相比无明显变化，此区域为次要管控区域，进入应力影响区过程中，尤其在上覆采空区外侧20m范围内，压力显现特别强烈，此区域为重点管控区域，为工作面安全高效开采、避免顶板事故提供一定的理论依据。     

不同堆填方式下软硬土互层渣土边坡稳定性分析

为研究不同堆填方式对渣土边坡稳定性的影响,本文选取深圳市某受纳场边坡为研究对象,在考虑到实际经济效益的基础上,建立有一种软硬土互层的渣土边坡模型,分析了不同堆填方式下边坡的稳定性。结果表明,当最底层为硬土且土层为反倾堆填时,软硬土互层渣土边坡具有较高的稳定性;软硬土互层堆填边坡的稳定性随土层反倾堆填角度增大而增大,随整体坡角增大而减小,随土层堆填厚度增大而增大。故在实际的渣土边坡堆填工程中,应在综合考虑以上因素情况下制定出最经济合理的堆填方案。     

溶胶-电雾化系统雾滴速度场LDV测量的研究

用基于多普勒频移和相位差原理的LDV(Laser Doppler Velocimeter)技术研究了溶胶一电雾化系统中荷电雾滴的轴向速度及其分布，并分析了雾滴在输运过程中的受力情况。结果表明，在电场力、重力、流体拖曳力等共同作用下，雾滴轴向速度在垂直于雾场轴线的平面内沿远离轴线的方向逐渐降低，但各点速度分布的标准偏差趋于减小；随着轴向距离的增加，雾滴速度明显增大，在距喷头5cm处高达1．2m／s，并沿径向分布趋于一致。这些结果为溶胶一电雾化系统中薄膜沉积过程的理论研究提供了实验依据。     

高取向PZT厚膜的0-3复合法制备

采用 0 3复合法 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si衬底上成功制备了单层厚度 0 .9μm ,总厚度 10 μm ,并且无裂纹的Pb(Zr0 .53,Ti0 .4 7)O3铁电薄膜。溶液中粉体的存在减小了加热时的体积收缩 ,降低了制备过程中膜内部产生的应力 ,从而使得单层厚度可达 0 .9μm ,防止了薄膜开裂。X射线衍射分析表明薄膜为单一钙钛矿相结构且结晶状态良好 ,采用已烧结的粉末时 ,薄膜呈〈110〉取向 ;扫描电子显微镜分析表明 ,薄膜表面无裂纹 ;介电性能测试结果显示 ,其相对介电常数可高达 115 0。为了研究粉末的状态和薄膜取向之间的关系 ,将未经烧结的未结晶的PZT粉末加入前驱溶液中 ,在相同的制备条件下 ,可得沿〈10 0〉晶向强烈取向的PZT薄膜     

PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。