InP衬底上的p—沟和n—沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常用晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ〉０．５３）Ｉｎ０．５３Ａｌ０．４６Ａｓ／ＩｎｙＧａ（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导〉２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖｔｈ＝０．     

GaAs VHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。     

高截止频率异质结双极晶体管的研制

本文介绍了研制异质结双极晶体管(HBT)的工艺过程。使用MOCVD生长的GaAlAs/GaAs多层结构外延材料,采用离子注入隔离和湿法腐蚀技术,实现基极与发射极台面自对准工艺,研制出截止频率为22GHz的HBT。     

压力控制回路及其在有色金属加工设备中的应用

本文介绍了压力控制回路的类型及其性能特点，重点阐述了适用于有色金属加工设备液压系统的压力控制回路的作用及其设计方法。     

GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究

报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非本征跨导和饱和电流密度分别为 3 5 0 m S/mm和1 90 m A/mm。源漏击穿电压和栅反向击穿电压分别为 4V和 7.5 V。这些直流特性超过了相同的材料和工艺条件下 Ga As基 PHEMT的水平 ,与 In P基 In Al As/In Ga As HEMT的性能相当     

硫酸浸出铀矿石所用氧化剂的比较

加入各种氧化剂[即Fe_2(SO4)_3、Cl_2、H_2O_2、NaClO_3、MnO、H_2SO_3、HNO_3、OxOne·、k_2Cr_2O_7、KMnO_4、O_3和O_2],对于埃里奥特湖和拉比特湖矿石进行了实验室规模的硫酸浸出试验。当浸出矿浆中有氧化剂存在时,铀的浸也大大加快。保持浸出矿浆的氧化电位在400～500毫伏(标准氢电极)范围内,铀的浸出率可达96～99％o对所有边些氧化剂的费用的粗略比较表明:使用Fe_2(SO_4)_3、O_2、O_3、C1_2、HNO_3和MnO_2远比用NaClO_3要便宜,而且铀的浸出率与NaclO_3相近或者更高。 就铀的浸出而言,得出的结论是:浸出埃利奥特湖矿石24～36小时,气态氧(即空气或氧气)是最有效、最经济的氧化剂;然而,浸出拉比特湖矿石8～12小时选用强氧化剂(例如NaClO_3、H_2O_2、O_3、K_2Cr_2O_7、H_2SO_5或HNO_3)是合理的。     

单片集成长波长光接收机

介绍了利用InGaAs 长波长金属-半导体-金属(MSM)光探测器与InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等,解决了工艺兼容性问题,实现了2.5Gb/s传输速率下功能正确的单片集成长波长光接收机样品.     

GaAsVHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。