三胺反应器高温电伴热的技术改造

介绍了13.8kt/a三聚氰胺装置反应器阀门和管道电伴热系统技改情况。对原伴热方式存在的问题及产生的原因进行了分析,对改造方案及改造后的使用情况进行了介绍。     

ULSI互连系统热特性的模拟

应用基于有限元算法的软件 ANSYS对 0 .15 μm工艺条件下的一个 U L SI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析 .模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属 (Cu或 Al)互连线及不同电介质 (Si O2 或低介电常数材料 xerogel)填充条件下的热分布情况 ,计算了这些条件下此互连结构的温度分布 .并将结果与 Stanford大学模拟的另一种五层金属布线结构的热特性结果进行了比较 .讨论了低介电常数材料的采用对于互连结构散热情况的影响 .此外 ,还简要地介绍了 ANSYS的性能和用于热模拟的原理和特色     

一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法

论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合,对模拟电荷用DFP法进行最优设置的提取双介质ULSI互连电容参数的基本算法,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较,相对偏差小于10%,表明这种新的模拟电荷法是有效的和可行的．     

共振隧穿二极管电流密度-电压曲线的计算与分析

用紧束缚能带方法计算双势垒结构 Ga As/ Ga1-x Alx As/ Ga As和 In As/ Ga Sb/ Al Sb的电子、空穴电流密度 ,对计算结果进行分析 ,并对其结果在工艺设计中的应用进行讨论     

低介电常数(low-k)介质在ULSI中的应用前景

本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在ULSI中应用的前景.     

单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型

基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元．本文介绍一种简单的ＭＯＢＩＬＥ电路结构,给出了适合于ＰＳＰＩＣＥ模拟的模型,并根据模拟结果分析了共振隧穿二极管电容的充放电过程,同时讨论了ＭＯＢＩＬＥ电路工作的内部物理过程．     

VLSI电路中互连线特性研究及其数值模拟

用数值计算方法详细模拟了室温及低温（７７Ｋ）下ＶＬＳＩ电路中金属互连线的寄生电容和时间延迟，得到了金属互连线的几何结构对寄生效应的影响。结果表明，互连线宽Ｗ同互连线节距Ｐ之经为０．５～０．６是获得最小时间延迟的最佳尺寸。模拟还给出了用铜代替铝金属线及用低介电常数电介质（εｌｏｗ．ｋ＝０．５ＥＳｉＯ２）代替ＳｉＯ２后，在室温和低温条件下寄生电容及延迟的改善情况。