表面波表征ULSI互连布线双层薄膜机械特性的理论计算

利用超声表面波在分层结构中传播的频散特性来测量薄膜的机械特性具有准确、快速、对材料无损伤等突出优点.本文研究了在Si(100)衬底上淀积双层薄膜的分层结构中超声表面波沿Si[110]晶向传播的速度-频率色散关系.应用此方法对超大规模集成电路(ULSI)中具有质软、易碎特点的低介电常数互连介质(low-k)薄膜的机械特性进行了表面波频散计算.研究了先进ULSI互连布线系统中广泛存在的3种分层薄膜结构上表面波的频散特性.计算表明不同分层结构对表面波的频散特性影响很大.对于同一分层结构,表面波的频散曲率随low-k薄膜杨氏模量的减小而显著增大.本工作为准确测定low-k薄膜的杨氏模量提供了理论计算依据.     

三胺反应器高温电伴热的技术改造

介绍了13.8kt/a三聚氰胺装置反应器阀门和管道电伴热系统技改情况。对原伴热方式存在的问题及产生的原因进行了分析,对改造方案及改造后的使用情况进行了介绍。     

试论建筑企业的全面预算管理——以武钢建工集团为例

全面预算管理逐步在我国现代企业中广泛应用，文中以武钢建工集团为例论述了建筑企业全面预算管理的内涵与作用，阐述了在建筑企业中推行全面预算管理的意义，并指出现阶在建筑企业推行全面预算管理应注意的几个问题。     

短沟道MOSFET渡越时间物理模型

叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％     

多功能复合解堵技术

钻井液侵入油气层后必然会给产层带来一定程度的伤害,特别是对于筛管完成的水平井来说,其固相颗粒堵塞带来的伤害不可忽视,严重的甚至会使油井完全失去产能.因此,伤害一旦发生,就必须有相应的解除办法.针对港西油田西40-6-8H井因钻井液污染失去产能的情况,应用了多功能复合解堵体系,该体系具有溶蚀、清洗、破胶等多重作用,经现场应用取得了理想的解堵效果.     

国际电子器件研究述评

每年一次的国际电子器件会议(IEDM)是发表电子器件研究成果的综合性的、高水平的国际性学术会议。第33次国际电子器件会议于1988年12月11日到14日在美国旧金山举行。会议通过大会及分组报告交流了固态器件、集成电路、量子电子学和化合物半导体器件;探测、传感和显示器;电子管器件工艺;模型和模拟等七个方面的论文共216篇。会议还组织了晚间专题讨论,讨论的题目有:“在每个芯片包含10~8器件时高成品率高可靠性意味着什么以及如何实现”;“硅传感     

中国半导体专业创办三十周年

<正> 为纪念我国半导体专业创办三十周年,1986年10月16日至18日在北京大学隆重举行了“我国半导体专业创办三十周年学术报告会”(以下简称“报告会”)。三十年前为创办我国第一个半导体专业作出贡献的教职工及学生代表、有关领导和来宾共120多人参加了会议。这是我国半导体教育、科学及工业界的一次具有重要意义的历史性聚会。会议总结了三十年前创办我国第一个半导体专业的历史经验,交流了国内外半导体科技发展的信息,探讨了为发展我国半导体科技和教育事业的若干设想。会议开得很成功,告别会上不少代表表示希望在我国半导体专业创办四十周年时再相会。下面就“报告会”的主要活动作扼要介绍。     

共振隧穿二极管电流密度-电压曲线的计算与分析

用紧束缚能带方法计算双势垒结构 Ga As/ Ga1-x Alx As/ Ga As和 In As/ Ga Sb/ Al Sb的电子、空穴电流密度 ,对计算结果进行分析 ,并对其结果在工艺设计中的应用进行讨论     

ULSI互连系统热特性的模拟

应用基于有限元算法的软件 ANSYS对 0 .15 μm工艺条件下的一个 U L SI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析 .模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属 (Cu或 Al)互连线及不同电介质 (Si O2 或低介电常数材料 xerogel)填充条件下的热分布情况 ,计算了这些条件下此互连结构的温度分布 .并将结果与 Stanford大学模拟的另一种五层金属布线结构的热特性结果进行了比较 .讨论了低介电常数材料的采用对于互连结构散热情况的影响 .此外 ,还简要地介绍了 ANSYS的性能和用于热模拟的原理和特色     

一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法

论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合,对模拟电荷用DFP法进行最优设置的提取双介质ULSI互连电容参数的基本算法,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较,相对偏差小于10%,表明这种新的模拟电荷法是有效的和可行的．