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21.
注入氧形成的SOI结构中氧分布的模拟   总被引:1,自引:0,他引:1  
阮刚  徐晨曦  俞强 《半导体学报》1989,10(7):514-518
我们提出了一个用于模拟SIMOX注入分布的经验公式,用此公式对某些氧注入分布进行了模拟,其结果与有关理论计算及实验值相比符合较好.我们的经验公式既有一定精度又形式简单,非常适合于作为VLSI全工艺模拟器中的一部份.  相似文献   
22.
油水分离旋流器设计过程中,为了快速确定旋流器的最终结构型式和尺寸,可以通过建立旋流器结构优化设计模型库来实现。运用计算流体动力学基本理论与计算机技术相结合的方法,代替物理模型实验,针对国内各油田油井产出液的物性和工作条件差异而形成的各种组合,进行分析和优化计算,从而得到满足该种组合的优化设计模型。以此建立的油水分离旋流器模型库可减轻设计人员在设计和实验中的重复性劳动,加快设计速度,提高技术水平,是旋流器结构优化设计的新思路。  相似文献   
23.
集成电路芯片上光互连研究的新进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时 ,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势 .介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的研究新进展 .最后展望了集成电路芯片上光互连的应用前景 .  相似文献   
24.
应用基于有限元算法的软件ANSYS对0.15μm工艺条件下的一个ULSI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析.模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属(Cu或Al)互连线及不同电介质(SiO2或低介电常数材料xerogel)填充条件下的热分布情况,计算了这些条件下此互连结构的温度分布.并将结果与Stanford大学模拟的另一种五层金属布线结构的热特性结果进行了比较.讨论了低介电常数材料的采用对于互连结构散热情况的影响.此外,还简要地介绍了ANSYS的性能和用于热模拟的原理和特色.  相似文献   
25.
VLSI电路中互连线的延迟及串扰的数值模拟   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
用数值计算方法详细地模拟了VLSI电路中金属互连线的延迟及串扰.模拟结果表明:互连线宽W同互连线节距P之比W/P=0.5~0.6是获得最小时间延迟并满足串扰限制的最佳尺寸,模拟还给出了用铜代替铝金属线及用low-k电介质(εlow-k=0.5εSiO2)代替SiO2后,延迟及串扰的改善程度.  相似文献   
26.
ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景   总被引:3,自引:1,他引:2  
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 ,最后评述了有关应用前景  相似文献   
27.
SEDAN是Semiconductor Device Analysis的简称,是美国斯坦福大学集成电路实验室开发的一个半导体器件分析程序.这个程序已由复旦大学大规模集成电路研究室修改、移植成功. SEDAN执行半导体器件的一维分析,从杂质分布出发解出半导体器件的电特性.若杂质分布的输入直接用集成电路工艺模拟程序SUPREM-2的输出,即SUPREM-2同SEDAN联用,则可直接由已知工艺条件参数算出器件的电特性. 本文介绍如何使用半导体器件分析程序SEDAN,即介绍SEDAN输入文件的书写格式.  相似文献   
28.
29.
讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时,常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势.介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本器件及其与硅集成电路集成的研究新进展.最后展望了集成电路芯片上光互连的应用前景.  相似文献   
30.
对DG1025/18.2-Ⅱ14型W火焰锅炉在冷态下进行了全面的测试分析,并掌握了锅炉的各种特性;在此基础上对一次风和二次配风进行了冷态调平,为锅炉运行调整提供了可靠的依据。同时,对炉内空气动力场进行了飘带试验研究和计算机数值模拟研究,结果表明:经过合理的一、二次风配置,空气动力场良好。  相似文献   
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