W-CDMA手机用功率放大器的ACPR不对称性研究

分析了偶次交调产生的低频因素对临近通道泄漏功率比(ACPR)不对称性的影响;根据实际功率放大器结构提出了一种等效低通滤波器模型;仿真验证了该低通滤波器的带宽和阶数对ACPR不对称性的影响;测试中通过改变该低通滤波器的带宽和阶数,使得ACPR不对称性改善了3.72dB,同时ACPR降低了2.95dB,提高了功放的线性度.     

Linux内核HWMP序列号机制的研究与改进

为了提高混合无线网状网协议(hybrid wireless mesh protocol,HWMP)在工程应用中的鲁棒性,研究了Linux内核中的HWMP序列号机制.发现了由于“序列号有效”域在路由更新流程中处理不当引起的路径请求(path request,PREQ)死锁环问题,提出了删除“序列号有效”域的解决方案.该方案改变了HWMP的路由更新流程,消除了PREQ错误转发,进而消除了PREQ死锁环.在Linux内核中实现了该方案并进行了长时间的测试,表明了该方案的可行性和有效性.     

GPS/AHRS紧耦合系统中改进的SRUKF算法

在GPS/AHRS(航姿参考系统)组合导航的数据融合中,常规UKF在应用中由于计算误差易导致协方差负定,影响滤波的精度,甚至使滤波发散而导致系统无法正常工作.针对这一问题提出了一种改进的自适应SRUKF算法,不仅能够解决协方差负定带来的系统无法正常工作的问题,而且能够在保证精度的同时降低系统的计算量.仿真数据结果表明,在先验噪声未知并且噪声时变的情况下,改进的自适应SRUKF算法能够提高系统的精度和稳定性.     

多普勒辅助RangeFit快速定位方法

常规GNSS快速定位算法(即首次定位时间TTFF＜l s)中存在初始时间、初始位置、钟差等误差总和小于150 km的约束门限,即使初始位置十分准确,初始时间误差也不能超过210 s,这使得只有在热启动和AGNSS条件下,才能实现TTFF小于1 s.该文针对常规快速定位算法的这种缺陷提出一种多普勒辅助RangeFit快速...     

射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。     

通用高速数据采集及测试平台设计

在图像和雷达等信号处理领域中,一个系统往往需要多块信号处理板进行协同工作,为了实现各个电路板之间的高速数据传输和通信,设计出了一种新型高速数据采集测试平台;平台采用64B/66B编码,同时兼容8B/10B编码,使用光纤作为传输介质,采用高性能FPGA为处理器实现高速数据收发;测试证明,采用64B/66B编码方式的平台相较于采用8B/10B编码方式的平台能够在大幅提高传输效率的同时减少数据冗余率;该平台设计通用性强,提高了通信速率的同时简化了外围线路的复杂性,可以为超高速数据采集提供更为高效的硬件支撑,并已得到了广泛的应用,具有较强的实用性。     

一种新的收发一体机结构

介绍了一种将接收机和发射机两种功能模块整合的收发一体机结构.采用了提出的Transformer信号耦合结构,使收发两路逆行信号共用一路放大器、滤波器、本振,只需配置两个分别用于上、下变频的混频器,在MCU控制下即可实现接收和发射两项功能.成功制造出了用于140MHz中频和10MHz基带信号之间的收发一体机,经测试功能得到完全实现,且性能良好,能有效地简化系统、降低成本、减小电路板面积,有很大应用价值.     

基于Simulink的∑△小数N频率综合器行为级仿真

快速有效的频率综合器系统级仿真可对∑△小数N频率综合器的设计实现提供有效的帮助.在分析小数N频率综合器的基础上,建立了完整的Simulink电路仿真模型,进行快速的准电路级行为仿真,可更好表现频率综合器的时域特性,验证电路结构的正确性.仿真结果表明该方法是简捷有效的.     

Flash Memory测试技术发展

从Flash memory 测试技术的发展背景出发,论述了flash memory测试技术的发展现状以及前景.同时重点对Flash-march算法和BF&D算法进行了分析和评价.指出Flash memory的发展是以测试技术的发展为基础的,必须把Flash memory本身的发展和测试技术的发展综合考虑,才能有助于两者的协调发展.     

高稳定性无片外电容低压差线性稳压器的设计

设计了一款无片外电容低压差线性稳压器(LDO),与传统的LDO相比,此LDO消除了传统结构中所需的片外电容,可更好地应用于全集成低功耗的片上系统(SoC)中。针对无片外电容LDO没有外部等效零点补偿这一特点,采用一种折叠输入推挽输出误差放大器结构,结合密勒补偿以及一阶RC串联零点补偿两种方案,有效地改善了无片外电容LDO的稳定性。电路采用SMIC0.18μm CMOS工艺实现,面积为0.11 mm2,最大负载电容100 pF,输入电压为1.8 V时,输出电压为1.5 V,静态电流31.8μA,压差为160 mV。