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51.
52.
用原子力显微镜测量了气体离化团束照射后表现粗糙度的变化。已经证实气体团束轰击对表面沾污具有很高的清除率,同时却引起较低的损伤。气体离化团束优良的平坦化和清洁化效果可能与照射中多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的沉积相关。  相似文献   
53.
田民波  山田公 《真空》1996,(4):27-32
设计并制造了喷咀--分流器系统产生气体团束。为搞清气体团束的产生过程,进行了流体力学分析。研究了工程应用的气体离化团束装置。  相似文献   
54.
近年来铅污染广泛地受到了人们的重视。2003年2月13日欧盟颁布WEEE/RoHS法案,在世界范围内引发了一场电子封装的无铅化革命。本文综述了电子封装技术的现状以及我国如何面对无铅化的问题。  相似文献   
55.
为满足超大规模集成电路的要求,人们对AlN陶瓷封装进行了大量的研究。通过实际考察材料的性能和结构设计,本文讨论了相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等  相似文献   
56.
近年来铅污染广泛地受到了人们的重视。2003年2月13日欧盟颁布WEEE/RoHS法案,在世界范围内引发了一场电子封装的无铅化革命。本文综述了电子封装技术的现状以及我国如何面对无铅。  相似文献   
57.
电子封装无铅化技术进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文介绍了两种用于电子封装行业的无铅技术——无铅焊料和导电胶连接技术,以及这两种技术的比较和应用,指出了无铅技术的若干前沿问题。  相似文献   
58.
本文介绍了电子封装的各种类型,综述了电子封装技术与封装材料的现状及发展趋势,重点讨论了高热导AIN基片金属化及AIN-W多层共烧工艺。  相似文献   
59.
研究了CO2,Ar离化团束对不同金属系统对及SiO2表面的溅射效应。离化团束的溅射产额比之单体离了束高100倍以上。气体离化团束的高溅射产量额可能是由于多体碰撞,侧向溅射及高能量密度的照射引起的。  相似文献   
60.
电子封装无铅化技术进展(续完)   总被引:10,自引:2,他引:8  
1.1.2.2Bi对无铅焊料性能影响及Sn-Bi系 在无铅焊料中添加Bi,可以降低熔点,提高浸润性等.对于使用者来说,具有很大的吸引力.  相似文献   
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