高密度封装进展之三——SiP与SoC

哪种方式更能提高LST的附加值?是SiP(system in a package)还是SoC(system on a chip)?LSI厂家正对此进行激烈争论。作为系统集成的选择方式,LSI厂家一直集中力量致力于SoC的开发。但是LSI厂家发现,仅靠SoC这一条路线已不能满足用户的要求。目前,对于各大LSI厂家来说,要不要转换其发展资源的投入方向,需要当机立断。     

平板显示器产业化进展及发展趋势

从现在起,到2010年,FPD将以年均33%的速度增长。韩国第8代(2500mm×3000mm)生产线将于2007年投产,2004后半年台湾地区的TFT-LCD产能有可能居世界首位。PDP厂家纷纷扩大生产规模,PDP将成为大型彩电的主流,本文介绍了世界范围内平板显示器产业化进展和发展趋势。面对机遇和挑战,对我国发展平板显示器产业战略提出建议。     

氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制备出氮化铁梯度薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）对样品进行了深度剖面分析：铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。X射线衍射表明膜中含有α－Fe，α”－Fe16N2，ε－FexN（2＜x≤3）和ξ-FeN各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

应用于平板显示器封装的ACF新进展

随着平板显示器大型化、薄型化、高分辨率的发展趋势,对平板显示器封装技术提出了更高的要求.ACF符合电子线路封装精细化、集成化的发展要求,目前已广泛应用于平板显示器(例如LCD)的封装领域.综述了ACF应用于平板显示器封装的主要形式如TCP、COF、COG,分析了各种不同封装形式对ACF提出的不同性能要求,以及为了满足这些要求对ACF中导电粒子的大小、含量、硬度以及ACF中使用树脂的种类等方面进行结构性能改进的最新进展.     

RF溅射碳化硅薄膜的结构研究

本文作者用RF溅射法获得碳化硅薄膜,利用AES、XPS、TEM和UPS等现代分析仪器研究了碳化硅薄膜的结构.溅射薄膜中Si∶C=1∶1.主要化学键形式为Si-C共价键,原子排布状态为非晶态,并且在短程结构中存在大量畸变与缺陷,薄膜为不理想非晶结构,带尾较长.     

电子封装技术的最新进展

现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温焊接等技术的最新进展.并对SiP三维封装技术中封装叠层FFCSP技术进行了着重的阐述.指出随着低温焊接、连接部树脂补强以及与Si热膨胀系数相近基板的出现,电子封装构造的精细化才能成为可能,为各种高密度封装、三维封装打下坚实基础.     

高密度封装进展之四——印制线路板制造技术的发展趋势

对PWB制造技术的要求主要有:适应高密度封装、高速及高频信号的使用要求:适应无卤化的要求;适应埋入无源及有源器件的系统集成封装要求;适应搭载新功能器件的要求;适应低价格的要求;适应更短供货期的要求。本文以要求更为严格的封装基板为中心,介绍了目前PWB制造技术的发展动向。     

CO2团束的离化,加速及质量分离

设计并制造了ＣＯ２离化装置——由电子轰击对团束进行离化，由电极电位进行加速，由阻止势进行质量分离。通过实验确定了最佳参数，其中包括：离化电子电流和电压、加速电压、阻止电势、供气压力等。     

气体离化团束对表面的平坦化及清洁化效果

用原子力显微镜测量了气体离化团束照射后表面粗糙度的变化。已经证实气体团束轰击对表面沾污具有很高的清除率，同时却引起较低的损伤。气体离化团束优良的平坦化和清洁化效果可能与照射中多体碰撞、侧向溅射及高能量密度的沉积相关。