逻辑内建自测移相器的设计与优化

逻辑内建自测(Logic BIST)测试结构是今后系统芯片(SOC)设计中芯片测试的发展方向。由于LFSR(线性反馈移位寄存器)生成的伪随机序列的高相关性导致故障覆盖率达不到要求，采用移相器可以降低随机序列的空间相关性，提高Logic BIST的故障覆盖率。本文分析了移相器的数学理论并提出了移相器设计与优化算法。该算法可以得到最小时延与面积代价下的高效移相器。     

GexSi1—x减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统。计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布，温度分析和反应气体浓度分布的变化。计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳＩ外延层中Ｓｉ，Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系。     

基于FPGA与SDRAM的数字电视信号采集系统的设计与实现

本文为数字电视系统开发的需要实现了基于FPGA与SDRAM的数字信号采集系统。SDRAM可以提供大容量的存储空间。FPGA提供优秀的系统适应能力。该方案通过计算机并口实现FPGA与计算机的通信。     

让节日的餐桌热闹起来

碧波牛蛙；梅汁圣女果；巴蜀白肉；脆椒牛柳     

GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制

报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性.用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料.GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)对称衍射和(10(-1)2)斜对称衍射半宽分别为180″和185″;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到850cm2/(V·s).基于以上材料,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器,阈值电流密度分别为50和5kA/cm2,激光发射波长为405.9nm,脊型波导结构激光器输出光功率大于100mW.     

Ge_xSi_（1－x）减压化学气相外延过程的流体力学和表面反应动力学分析

结合流体力学和表面反应动力学分析了ＳｉＨ２Ｃｌ２＋ＧｅＨ４＋Ｈ２减压化学气相外延系统．计算和讨论了由于生长压力的变化而导致的反应管内速度分布、温度分析和反应气体浓度分布的变化．计算了生长温度为７００℃时，ＧｅＳｉ外延层中Ｓｔ、Ｇｅ和ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度与初始ＧｅＨ４流量的关系．从理论上解释了ＧｅｘＳｉ１－ｘ生长速度随ＧｅＨ４流量的变化关系，并与Ｐ．Ｍ．Ｇａｒｏｎｅ等人的实验结果进行了比较．     

用设计还原老川菜

奶汁核桃虾；豆母浸虾球；银色沙滩虾；秘制脆香鸡     

视频处理算法中的SDRAM接口设计

提出了一种在视频处理算法电路中的SDRAM接口设计,它巧妙地利用SDRAM高效的Full-page模式和Ping-Pang模式,在性能和模式选择上进行了很好的折衷,为需要大容量、高吞吐率存储器进行高速率数据处理提供了新思路。     

Si(111)衬底高温AlN缓冲层厚度及其结构特性

通过高分辨X射线衍射、光致发光、二次离子质谱(SIMS)、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析了AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的影响.实验表明,在缓冲层厚度为13～20nm之间时,GaN外延层的张应力最小,同时晶体质量和光学质量达到最优值.此外,SIMS分析表明,当AlN缓冲层位于13～20nm之间时,可有效抑制Si的扩散.     

低温MOCVD法沉积的GaN/GaAs(001)薄膜中的孪晶现象

采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发现了异常的Bragg衍射峰,表明GaN/GaAs(001)低温生长中孪晶现象非常明显.GaAs(001)表面上出现的{111}小面极性会在生长初期影响孪晶成核,实验结果表明孪晶更易在{111}B面即N面上成核.