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IIIA族单卤化物由于其在卤素刻蚀半导体材料中的重要作用及在半导体淀积生成新的光电材料过程中作为一种重要媒介物而引起人们的关注.尤其是近年来报道了IIIA族单卤化物在可见光波段类似稀有气体单卤化物,具有激光作用的电子谱,更引起了人们的极大兴趣.因此,研究其基本的光谱性质、动力学过程及测量有关参数,具有重要意义. 本文采用激光诱导荧光方法对 InBr分子的电子谱进行了研究,发现在 37705 cm-1附近存在一新电子态,并讨论了 266 nm激光作用于 InBr分子的激发、辐射通道.最后测量了 InBr分… 相似文献
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采用激光诱导荧光技术对InCl分子B3П1→X1∑+荧光光谱进行了分析和归属,并对
B3П1(v′=0)→X1∑+(v″=0)的时间分辨谱进行了观测.首次得到InCl分子B3П1态(v′=
0)无碰撞辐射寿命т0≈353ns,无辐射弛豫速率常数kQ≈1.985×10-10cm3molec-1s-1及
电子跃迁矩|Re|2=0.40D2. 相似文献
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