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71.
本论文通过正交试验对透明导电薄膜ITO蒸发厚度、退火温度、退火时间及退火时N2流量进行研究,并将制备的透明电极ITO薄膜应用于GaN基发光二极管,分析其对管芯表面电流扩展、ITO与P-GaN欧姆接触电阻的影响,通过优化ITO相关工艺来降低LED工作电压及提高透过率、提高LED发光亮度。通过试验得到优化参数为:ITO厚度250nm,火温度400℃,N2流量30L/min,火时间10min。在优化条件下玻璃片上测得ITO方块电阻约为12Ω/□,透光率达到95%以上,制得的203μm×508μm蓝光LED芯片在直流电流20mA下的正向电压3.18V,光功率为26.11mW。封装成X=0.35,Y=0.35,色温4500K,显色指数75白光后,光通量为7.81lm。 相似文献
72.
InP的配比度对晶体质量及相关器件性能有重要影响.若In-P熔体为富铟状态,不仅不容易生长单晶,而且易出现铟夹杂物;若熔体为富磷状态,则晶体中深能级缺陷将大幅增加,磷富余量过多时容易在晶体尾部产生孔洞,在孔洞周围位错密度明显增加.综述了与配比相关的InP材料的研究工作,着重分析了InP相图、不同配比InP材料制备、配比度的测量、与非配比相关的缺陷等方面的研究.重点探讨了非配比InP材料的制备、与配比相关缺陷的产生及缺陷对晶体质量的影响,对非配比InP的研究方向进行了分析和预测,提出了亟待研究解决的问题. 相似文献
73.
基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As,包括(Ga,Mn)As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后,展望了(Ga,Mn)As的应用前景。 相似文献
74.
微晶硅(μc—Si:H)是国际公认的新一代硅基薄膜太阳能电池材料。综述了微晶硅的基本特性,器件质量级材料的表征参量,材料的生长技术,微晶硅在太阳电池中的应用及其发展前景。 相似文献
75.
基于GPRS电力无线抄表系统的设计与实现 总被引:1,自引:0,他引:1
针对目前电力系统中人工抄表费时费力。可靠性和实时性差等缺点,提出了使用GPRS作为传输方式的电能表无线抄表方案。该方案使用采集终端,通过RS485方式把采集点的电能表数据采集起来,再使用GPRS把数据传送到监控中心,由监控中心的软件对数据进行汇总处理,具有很高的应用与研究价值。方案中的采集终端使用HPIUP公司双串口的芯片P89C669作为主控MCU,一个串口采集智能电能表的数据,另一个串口与GPRS模块MC55通讯。该方案经过实验测试,运行稳定可靠,符合实际应用的要求。 相似文献
76.
77.
地形图中的注记内容转为GIS属性数据是GIS属性数据生产的一种快捷有效的方式。本文基于EPS脚本技术,介绍了一种道路注记到道路属性的转换方法,重点解决了道路注记的预处理和道路注记与道路中心线的匹配问题,并通过VBScript语言实现了该方法。通过实验论证,该方法的正确率能够达到95%以上。 相似文献
78.
介绍了GaAs,InP和GaN等几种重要化合物半导体电子器件的特点、应用和发展前景。回顾了GaAs,InP和GaN材料的材料特性及其器件发展历程与现状。分别讨论了GaAs基HEMT由PHEMT渐变为MHEMT结构和性能的变化,GaAs基HBT在不同电路应用中器件的特性,InP基HEMT与HBT的器件结构及工作特性,GaN基HEMT与HBT的器件特性参数。总体而言,化合物半导体器件与电路在高功率和高频电子器件方面发展较快,GaAs,InP和GaN材料所制得的各种器件电路工作在不同的频率波段,其在相关领域发展潜力巨大。 相似文献
79.
为实现高锰钢的绿色切削,以过热水蒸气作为冷却润滑介质,用Al_2O_3-TiC复相陶瓷刀具对高锰钢ZGMn13进行单因素切削试验。试验结果表明:与干切削相比,用过热水蒸气冷却润滑切削时主切削力减小了20%~24%,加工表面硬化程度降低了6%~12%,并具有较高的加工表面质量。根据试验结果和冷却润滑作用机理分析可知,过热水蒸气具有较好的冷却和润滑作用,且廉价无污染,有望实现高锰钢的绿色切削。 相似文献
80.