基于NAND Flash的FAT文件系统的实现

因为NAND Flash的容量很大，性价比高，NAND Flash在单片机系统中的应用已经很普遍。NAND Flash可以存储很多数据，为了方便数据的管理，可以采用FAT文件系统对数据进行管理。本文深入讨论了如何在NAND Flash中建立FAT文件系统。     

退火条件对注Mn GaAs结构的影响

通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.     

多步热处理对未掺杂LEC SI-GaAs特性的影响

对未掺杂ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ进行了“三步热处理”。用霍尔测量、光激电流谱测量和化学腐蚀方法研究了这种热处理对电阻率、迁移率、电活性缺陷、位错密度及Ａｓ沉淀的影响。     

基于MEMS的多模态电磁式能量采集器设计与仿真

提出了一种磁铁层和线圈层均能振动的电磁能量采集器方法,设计了磁铁、线圈、支撑层组成的“三明治”结构,并用COMSOL软件对其进行了模态、静态和谐响应仿真,结果表明:设计的结构可实现400 Hz以下6个振动模态,5个方向振动能量的采集,为进一步工艺生产奠定了基础.     

高温淬火对GaAs中深施主缺陷的影响

研究了１ １２０℃ 高温淬火对非掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡＳ中 ＥＬ２浓度的影响．发现真空条件Ｔ,在１１２０℃热处理２ｈ～８ｈ并快速冷却后,样品中ＥＬ２浓度下降近一个数量级,提高高温过程中的 ＡＳ压,可抑制 ＥＬ２浓度的大幅下降．     

Al掺杂ZnO厚膜的sol-gel法制备及其气敏性能研究

以硝酸锌、硝酸铝和氢氧化钠为原料,采用sol-gel法制备铝掺杂的纳米氧化锌厚膜(样品),并利用XRD和SEM对其微观结构进行了表征。研究了铝掺杂量和退火温度对ZnO厚膜的气敏性能的影响。结果表明:700℃退火、掺w(Al)为2.9%的样品对体积分数为4.0×10–1的丙酮有很好的选择性,最大灵敏度达到7 779左右,最佳工作温度约为162℃,响应、恢复时间均为1 s,最后讨论了铝掺杂纳米氧化锌的气敏机理。     

一种新的支持向量机大规模训练样本集缩减策略

支持向量机(SVM)在许多实际应用中由于训练样本集规模较大且具有类内混杂孤立点数据,引发了学习速度慢、存储需求量大、泛化能力降低等问题,成为直接使用该技术的瓶颈。针对这些问题,通过在点集理论的基础上分析训练样本集的结构,提出了一种新的支持向量机大规模训练样本集缩减策略。该策略运用模糊聚类方法快速的提取出潜在支持向量并去除类内非边界孤立点,在减小训练样本集规模的同时,能够有效地避免孤立点数据所造成的过学习现象,提高了SVM的泛化性能,在保证不降低分类精度的前提下提高训练速度。     

善用哲学"五性"营造快乐课堂

本文以中等职业教育国家规划教材<哲学基础知识>的内容为例,探析如何在哲学课堂教学中充分体现哲学课堂教学的"五性":即历史性、文学性、通俗性、幽默性和兼容性.     

医院手术室净化施工探讨

结合多年的工作经验,重点介绍洁净手术室先进的施工方案,并对其节能效果进行阐述和分析。     

热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响

在950℃和1120℃温度下,对非掺杂（ND）半绝缘（SI）液封直拉（LEC）GaAs单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷和电特性的影响。在950℃和低砷压条件下进行14h热处理,可在样品中引入本征受主缺陷并导致体霍尔迁移率大幅度下降和体电阻率明显增加。这些受主缺陷的产生是由于高温和低砷压条件下GaAs晶体中发生砷间隙原子的外扩散,提高热处理过程中的砷气压。可以抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化,真空条件下,在1120℃热处理2-8h并快速冷却后,可使样品中的主要施主缺陷EL2浓度下降近一个数量级,提高热处理过程中的砷气压,可以抑制EL2浓度下降,这种抑制作用是由于高温,高砷压条件下GaAs晶体发生了砷间隙原子的内扩散。