In:Fe:LiNbO3晶体的生长及其在全息关联存储中的应用

用提拉法生长1％（摩尔分数,下同）In ：Fe ：LiNbO3（LN）,2％In ：Fe ：LN,3％In ：Fe ：LN和Fe ：LN晶体,配料中掺入0．03％（质量分数）Fe2O3。采用光斑畸变法测试晶体的光损伤阈值。结果表明：1％In ：Fe ：LN和2％In ：Fe ：LN晶体的光损伤阈值比Fe ：LN晶体高1个数量级以上。3％In ：Fe ：LN晶体的光折变阈值比Fe ：LN晶体高2个数量级以上。晶体的位相共轭效应测试结果表明,1％In ：Fe ：LN晶体的位相共轭反射率（R1=185％）高于3％In ：Fe ：LN晶体（R3=120％）。以3％In ：Fe ：LN晶体作为存储元件,1％In ：Fe ：LN晶体作为位相共轭镜．进行全息关联存储实验．其再现图像清晰完整,噪音小。     

Influence of In3＋ ions concentration on spectroscopic properties of Ho：LiNbO3 crystals

In:Ho:LiNbO3 crystals doped with various concentrations of In3+(0, 1 mol.%, 3 mol.%, 5 mol.%), fixed concentrations of Ho3+ (1 mol.%) were grown by Czochralski method. The X-ray powder diffraction, infrared and UV-visible absorption spectra were measured and modified. Judd-Ofelt approach was employed to study the effect of In doping on spectroscopic properties of Ho:LiNbO3 crystals. In concentrations in crystals were analyzed by an inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP-OE/MS). For In (3 mol.%):Ho (1 mol.%):LiNbO3 crystal, the obtained intensity parameters were: Ω2=9.6563, Ω4=4.2195, Ω6=14.1526. The results showed that the Ω2 and Ω6 parameters increased with the increase of In3+ concentration. When the In doping concentration was up to 5 mol.%, Ω2 and Ω6 suddenly decreased. In2O3 incorporation had a strong effect on the radiative lifetime, but had less influence on fluorescence branching ratios. The effective distribution coefficient of In3+ in In:Ho:LiNbO3 crystals was less than 1 and increased with increasing concentration of In3+ in the melt.     

In∶Ho∶LiNbO3晶体的生长及抗光损伤性能

在同成分铌酸锂(LiNbO3)晶体中掺入1%(摩尔分数,下同)Ho2O3和分别为0,1%,3%,5%的In2O3,采用提拉法生长In∶Ho∶LiNbO3晶体.测试晶体的紫外-可见吸收光谱、双折射梯度和抗光损伤能力.结果表明:随着In∶Ho∶LiNbO3晶体中In3+含量的增加,吸收谱中吸收边连续紫移;5%In∶1%Ho...     

Zn∶Fe∶LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺进ＺｎＯ和Ｆｅ２Ｏ３生长出Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３晶体。测试了晶体抗光致散射能力、位相共轭反射率和响应时间。研究了Ｚｎ∶Ｆｅ∶ＬｉＮｂＯ３位相共轭效应增强的机理。     

激光晶体Nd：ZnO：LiNbO_3的生长及其光学性能

在ＬｉＮｂＯ３中同时掺入Ｎｄ２Ｏ３和ＺｎＯ，生长了Ｎｄ：ＺｎＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体。它具有同Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体相当的抗光损伤能力。Ｚｎ２＋离子的掺入，不影响Ｎｄ３＋离子在晶体中的光谱性质。可成为新型激光晶体。     

掺镁铌酸锂晶体吸收边紫移及占位离子的离子极化模型

测量了系列Mg~(2+):LiNbO_3晶体的吸收边,根据晶体吸收边紫移和离子极化理论,提出:Mg~(2+)将首先取代位于Li~+位的Nb~(5+),当浓度超过5mol％后,才开始进入正常Li~+位。此模型可解释Mg~(2+):LiNbO_3抗光折变增强和光电导增大的机制。     

P-RAP法Bridgman技术生长KBr单晶

采用P-RAP法生长KBr单晶,用CHBr_3作为纯化固体粉料的试剂,CCl_4与CH_2Br_2的混合物作为纯化KBr熔体的RAP试剂,解决了晶体粘附坩埚引起坩埚的炸裂问题。初步探讨了P-RAP法生长KBr单晶的反应机理。所生长的KBr晶体的吸收系数较用普通方法生长KBr晶体的吸收系数降低两个数量级。     

Hf:Fe:LN晶体生长与光折变性能的研究

原料采用在Fe(0.03%,质量分数):LN中掺进摩尔分数为(1%、2%、4%、5%)的HfO2,再次采用提拉法生长Hf:Fe:LN晶体.抗光损伤阈值测试表明,Hf(5%,摩尔分数):Fe:LN晶体抗光损伤能力比Hf(1%,摩尔分数):Fe:LN晶体提高2个数量级以上.以二波耦合光路测试晶体的衍射效率,写入时间和擦除时间,并计算出光折变灵敏度和动态范围.结果表明,Hf:Fe:LN晶体全息存储性能优于Fe:LN晶体.     

近化学计量比In:Fe:LiNbO3晶体光学性能的研究

采用助溶剂法以TSSG技术生长近化学计量比SInFeLiNbO3晶体.测试S InFeLiNbO3晶体的晶格常数,SInFeLiNbO3晶体的晶格常数既小于LiNbO3晶体也小于InFeLiNbO3晶体.晶格常数的变化是由于Li+取代反位铌NbLi4+和占据锂空位引起的.测试SInFeLiNbO3晶体的红外光谱,OH-吸收峰移到3503.cm-1,测试SInFeLiNbO3晶体的指数增益系数Γ,SInFeLiNbO3晶体的Γ值达到28cm-1,高于InFeLiNbO3晶体.     

高掺镁LiNbO3晶体抗光折变性能研究

在LiNbO3中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol%)LN,Mg(3mol%)LN,Mg(5mol%)LN,Mg(7mol%)LN,和Mg(9mol%)LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO3晶体.测试MgLiNbO3晶体的红外光谱,当Mg2+的浓度达到或超过阈值浓度的MgLiNbO3晶体,OH-吸收峰移到3535cm-1,晶体抗光损伤能力比LiNbO3晶体提高两个数量级以上.测试MgLiNbO3晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)MgLiNbO3晶体的相位匹配温度随Mg2+浓度的增加而改变,Mg(5mol%)LN,晶体的相位匹配温度达到116℃,Mg(9mol%)LN晶体在室温附近.